Arbeitsspeicher: Die neuen Standards im Überblick

XDR-DRAM II

Eine weitere Neuerung bildet die Flex-Phase-Technologie. Im Gegensatz zur traditionellen seriellen synchronen Leitungstechnik benötigt Flex Phase keine zusätzlichen Taktgeberleitungen. Der Datenfluss und Takt werden auf den differenziellen Leitungspaaren automatisch aufeinander abgestimmt. Das verringert Latenzzeiten und erhöht die nutzbare Bandbreite. Durch das Differenzialsignal werden zwei Leitungen statt bislang eine pro Signal benötigt.

Zusätzliche Vorteile der XDR-DRAMs sind die Differential Rambus Signaling Levels (DRSL). DRSLs arbeiten mit einem extrem niedrigen Signal-Hub von 200 mV. Die Signalpegel liegen bei einer Spannung von 1,0 und 1,2 V. Außerdem hat Rambus die bidirektional arbeitende Terminierung mit DRSL auf den Chip verlagert. Darüber hinaus ermöglicht XDR-DRAM durch die interne Organisation des Speichers gleichzeitige und voneinander unabhängige Schreibzugriffe. So können zum Beispiel auf die ungeraden Speicherbänke (Odd BankSet) Schreibzugriffe erfolgen, und zeitgleich lassen sich aus den geraden Speicherbänken (Even BankSet) Informationen auslesen.

Speichermodule mit XDR-DRAM bezeichnet Rambus als XDIMMs. Die ersten Module sollen 2006 eine Bandbreite von 12,8 bis 25,6 GByte/s bieten. XDIMMs besitzen den gleichen Formfaktor und die gleiche Pinanzahl wie DDR2-Module. Die Roadmap von Rambus sieht in den folgenden Jahren XDIMMs mit 128 Bit Datenbreite und 6,4 GHz Taktfrequenz vor. Diese Module bieten dann eine Bandbreite von über 100 GByte/s.