Alle Speichermodule im Überblick

Strukturerstellung

Die Integration der elektrischen Funktionen auf den planaren Wafer-Scheiben erfolgt in mehreren Fertigungsschritten:

• Erzeugen einer Oxidschicht auf der Scheibe.

• Auftragen eines Fotolacks.

• Belichtung des Lacks über Strukturmasken.

• Entfernen des belichteten Fotolacks.

• Ätzen der Oxidschicht mit dem unbelichteten Fotolack als Maskierschicht.

• Entfernen des unbelichteten Fotolacks durch einen weiteren Ätzvorgang.

• Diffusion zur lokalen Dotierung des Siliziums mit Oxid als Maskierschicht.

Das Trennen der strukturierten Chips von der Siliziumscheibe erfolgt durch Ritzen, Lasern oder Sägen. Mittels Klebe-, Löt- oder Legierverfahren befestigt man dann die kleinen Silizium-Dies auf einem Systemträger. Die Verbindung der Pins des Systemträgers mit den Anschlusspads des Die erfolgt durch Einzeldraht-Kontaktierung mit Gold- oder Aluminiumdrähten. Diese Bond-Technik kann durch Thermokompressions-, Ultraschall- oder im Thermosonic-Verfahren (Kombination von beiden) erfolgen.

Erst jetzt wird der Systemträger mit dem aufkontaktierten Die in einem Gehäuse eingebettet. Damit ist der Schutz des empfindlichen Die sichergestellt, und die fertigen Bausteine lassen sich leicht weiter verarbeiten.