Ultraschnelle Ladungsträgerdynamik in Halbleiter-Nanostrukturen

Links: Schematische Bandstruktur einer GaAs- Photodiode mit einer Schichtdicke von 400 Nanometern. Bei sehr hohen elektrischen Feldern werden die durch Lichtabsorption erzeugten Ladungsträger durch Stoßionisation vervielfacht. Rechts: Zeitaufgelöste optische Analyse der Zahl der vorhandenen freien Ladungsträger für zwei verschiedene elektrische Felder. (Quelle: Bayerische Akademie der Wissenschaften)

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