Ultraschnelle Ladungsträgerdynamik in Halbleiter-Nanostrukturen

Elektromagnetische Emission eines Silizium-Kristalls: bei Anregung mit Femtosekunden- Lichtimpulsen der Wellenlängen 1550 nm sowie 775 nm für verschiedene relative Phasenlagen. Der rechte Teil des Bildes veranschaulicht das Prinzip der ultraschnellen Strominjektion. (Quelle: Bayerische Akademie der Wissenschaften)

Elektromagnetische Emission eines Silizium-Kristalls: bei Anregung mit Femtosekunden- Lichtimpulsen der Wellenlängen 1550 nm sowie 775 nm für verschiedene relative Phasenlagen. Der rechte Teil des Bildes veranschaulicht das Prinzip der ultraschnellen Strominjektion. (Quelle: Bayerische Akademie der Wissenschaften)

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