Toshiba stellt schnellsten XDR-DRAM-Speicher vor

Das 512-Mbit-XDR-DRAM verfügt über eine variable Datenbusbreite von 4, 8 und 16 Bit. Die Grundtaktfrequenz beträgt 4,8 GHz bei 1,8 Volt Betriebsspannung und lässt sich auf bis zu 6,4 GHz skalieren. Kernstück der XDR-Technologie ist der octal-pumped betriebene Datenbus. Bei einer realen Taktfrequenz von 600 bis maximal 800 MHz werden pro Taktzyklus acht Bits übertragen. Dadurch ergeben sich die effektiven Transferfrequenzen von 4,8 bis 6,4 GHz und Bandbreiten von 9,6 bis 12,8 GByte/s bei 16 Bit Busbreite. Das aktuelle DDR2-DRAM arbeitet mit einer Taktung von 266 MHz - durch Ausnutzung beider Flanken mit effektiven 533 MHz bei einer theoretischen Bandbreite von 4,2 GByte/s.

Zusätzliche Vorteile der XDR-DRAMs gegenüber der traditionellen Speichertechnik sind die Differential Rambus Signaling Levels (DRSL). DRSLs arbeiten mit einem extrem niedrigen Signal-Hub von 200 mV. Die Signalpegel liegen bei einer Spannung von 1,0 und 1,2 V. Außerdem wurde beim XDR-Speicher die bidirektional arbeitende Terminierung mit DRSL auf den Chip verlagert. Darüber hinaus ermöglicht XDR-DRAM durch die interne Organisation des Speichers gleichzeitige und voneinander unabhängige Schreibzugriffe.

Mit der Serienproduktion des Highspeed-XDR-Speichers will Toshiba in der zweiten Hälfte 2005 beginnen. Samples des neuen Speichers sind bereits verfügbar.

Ausführliche Informationen über aktuelle Speichertechnologien finden Sie bei tecCHANNEL im Artikel Arbeitsspeicher: Die neuen Standards im Überblick. (hal)