Schnellere Prozessoren mit SOI-Technologie

Weitere Vorteile von SOI

• Das Volumen der Sperrschichten an allen pn-Übergängen bestimmt wesentlich das Leckstromverhalten einer CMOS-Schaltung. Da diese Sperrschichten jedoch in sehr viel geringeren Ausmaßen vorliegen, ergeben sich Unterschiede im Bereich von bis zu zwei Größenordnungen zu Gunsten von SOI-Technologien.

• Wegen der verringerten Sperrschichtvolumina im Bereich der Source- und Drain-Übergänge verringert sich auch die Empfindlichkeit gegenüber statistisch auftretenden transienten Fehlermechanismen (soft errors), die mittlerweile den Entwurf von dynamischen Speicherbausteinen wesentlich beeinflussen. Deshalb besitzen die SOI-Technologien auch für die DRAM-Hersteller eine strategische Bedeutung.

• Zusätzlich können die Auswirkungen der Kurzkanaleffekte auf Grund eines günstigeren Feldlinienverlaufs geringer gehalten werden.

• Durch die vollständige dielektrische Isolation der Bauelemente durch den Isolator Siliziumdioxid (SiO2) lassen sich aufwendige Zwischenschritte zur lateralen Isolation, wie sie zum Beispiel mit der shallow trench isolation notwendig werden, umgehen.

• Die vollständige Isolation verhindert auch Latch-up-Effekte, die durch die Thyristor-Abfolge von pnpn-dotierten Gebieten zum Verlust der Steuerbarkeit führen können.