Schnellere Prozessoren mit SOI-Technologie

Die Pläne bei Intel

Der Klassenprimus Intel hat lange Zeit nur auf die Optimierung herkömmlicher Siliziumtechnologien gesetzt. Bei SOI hat er sich ebenso abwartend wie bei der Einführung der Kupfermetallisierung verhalten. Im Rahmen des TeraHertz-Transistors soll nun auch die SOI-Technologie zum Einsatz kommen.

Die frühere Ablehnung begründete Intel zum einen mit dem hohen Risiko bei der Einführung neuer Prozesstechnologien in die Massenfertigung. Zum anderen glaubt man, dass die Geschwindigkeitsvorteile gegenüber herkömmlichen Bulk-Technologien bei kleineren Strukturgrößen abnehmen werden. Sie sollen in der (übernächsten) 100-nm-Generation nur noch drei Prozent betragen .

Die neue Ausrichtung auf SOI soll vor allem die Verlustleistungsaufnahme zukünftiger Prozessorgenerationen limitieren. Als Obergrenze strebt Intel dabei 100 W an.

Zum Einsatz kommen soll eine Kombination von dielektrisch isoliertem Transistor auf einer dünnen vollständig verarmten Siliziumschicht. Um aber dennoch die Zuleitungswiderstände durch Source und Drain akzeptabel zu halten, werden diese Gebiete zusätzlich epitaktisch aufgewachsen.