Samsung stellt erstes 1-Gbit-DRAM für mobile Geräte vor

Laut Samsung erreicht der Speicher eine Bandbreite von 664 MByte/s und arbeitet mit einer Betriebsspannung von 1,8 Volt. Um die Batterieressourcen im mobilen Einsatz zu schonen, verfügt der Speicher über Samsungs Partial-Array-Self-Refresh- (PASR) und Temperature-Compensated-Self-Refresh- (TCSR) Technologie. Zum Einsatz soll der 1-Gbit-DRAM-Speicher vorwiegend in digitalen Camcordern und hochauflösenden Digitalkameras kommen.

Im Rahmen der Veranstaltung stellte Samsung weitere Trendprodukte für das Mobile-Marktsegment 2005 vor. Im Mittelpunkt der Produktshow standen ein 300 MHz schneller Prozessor, der in einem System-in-Package-Gehäuse (SiP) untergebracht ist, ein 1-Gbit-NAND-Flash-Memory sowie ein Treiberbaustein für farbige Aktiv-Matrix-OLEDs. Zusätzlich zeigte der Halbleiterhersteller ein 256-Mbit-Mobile-DRAM, einen Singlechip-Display-Treiber-IC (DDI) für QVGA-Auflösungen und einen 260.000-Farben-Display-Treiberbaustein für Active-Matrix-Anzeigen. Darüber hinaus präsentierte Samsung einen 2,5-Zoll-QVGA-TFT-LCD für MP3-Player und stellte die aktuellen Entwicklungen auf dem Gebiet der organischen Leuchtdioden (OLED) vor. (hal)