IDF: Neue Centrino-CPUs, -Chipsätze und Mobile-Plattformen

Dothan: 90 nm und Strained Silicon

Beim Pentium-M-Nachfolger mit Code-Namen Dothan geht Intel auf die 90-nm-Fertigungstechnologie über. Dabei setzt der Hersteller Strained Silicon ein. Eine vergrabene Silizium-Germanium-Schicht streckt das Kristallgitter der darüber liegenden aktiven Siliziumschicht. Durch die unnatürliche Gitterkonstante steigt die Beweglichkeit der Ladungsträger, so dass der Transistor schneller schaltet.

Insgesamt besteht der Dothan aus 140 Millionen Transistoren. Das Gros nimmt der auf 2 MByte verdoppelte L2-Cache ein. Der aktuelle Pentium M - Code-Name Banias - setzt sich aus "nur" 77 Millionen Transistoren zusammen.

Neben dem größeren Cache wartet Dothan mit Verbesserungen am Core auf. So sorgt das Enhanced Register Data Retrievel für ein effizienteres Register-Management bei unterschiedlich langen Schreib-/Lesevorgängen. Ein Enhanced Data Prefetcher verfügt über eine ausgeklügeltere Vorhersage, welche Daten die CPU im L2-Cache demnächst benötigt.

Erste Befürchtungen, Dothan könnte wegen der hohen Leckströme, die bei kleinen Strukturgrößen unweigerlich auftreten, zum Stromfresser werden, haben sich nicht bestätigt. Seine 21 Watt TDP liegen auf dem Niveau der aktuellen Pentium-M- (Banias-) CPUs, so dass die Notebook-Hersteller ohne Probleme zur neuen CPU wechseln können. Zum Vergleich: Der ebenfalls in 90 nm produzierte Pentium-4-Nachfolger Prescott soll bis zu 103 Watt verbraten. Der Pentium M mit Dothan-Core wird laut tecCHANNEL vorliegenden Roadmaps mit einer Taktfrequenz von 1,7 und 1,8 GHz Anfang 2004 debütieren.