IBM: Schnelle, sparsame Chips für mobile Geräte
IBM ist es nach eigenen Angaben erstmals gelungen, CMOS und SiGe-Bipolar-Transistoren gemeinsam auf einem SOI-Wafer zu platzieren. Bislang scheiterte die Industrie nach Angaben von IBM an dieser Kombination, da traditionelle SiGE-Bipolar-Transistoren nicht auf einem solchen SOI-Wafer erzeugt werden konnten. IBM hat es nun geschafft, SiGE-Bipolar-Transistoren unter Verwendung eines SOI-Wafers herzustellen.
Die Serienreife könnte die Technologie in den nächsten fünf Jahren erreichen, teilte IBM mit. Die Leistung würde etwa ausreichen, um Video-Streams auf Mobiltelefonen zu ermöglichen. Details will der Hersteller auf dem 2003 Bipolar/BiCMOS Circuit and Technology Meeting in Toulouse präsentieren.
Zusätzliche Informationen finden Sie im Report Schnellere Prozessoren mit SOI-Technologie. (uba)