IBM entwickelt schnellsten SiGe-Transistor
IBM hat nach eigenen Angaben den bislang schnellsten Transistor auf Silizium-Basis überhaupt entwickelt. Mit Hilfe eines modifizierten Designs komme das für die Halbleitertechnik grundlegende Schaltelement auf eine Taktrate von 350 GHz, meldet Big Blue.
Das sei 65 Prozent schneller als bisherige Transistoren und könnte Kommunikations-Chips mit Taktfrequenzen von 150 GHz und mehr möglich machen, berichtet die Computerwoche. Die Serienreife will IBM bis zum Jahr 2005 oder 2006 erreichen.
Der neue ultraschnelle Transistor besteht aus einer Kombination von Silizium und Germanium (SiGe), ist ungewöhnlich dünn und verfügt deswegen über besonders kurze Wege für durchfließende Elektronen. Details seiner Technik will der Konzern im kommenden Monat auf dem Kongress International Electron Devices der IEEE in San Francisco präsentieren. (Computerwoche/uba)