288-MBit-RDRAM von Samsung

Samsung Electronics hat die Entwicklung ihrer 288-MBit-RDRAMs abgeschlossen. Damit wird die nächste Generation von Rambus-Modulen mit einer Kapazität von 512 MByte möglich.

Die Produktion von großen Stückzahlen soll laut Samsung in der zweiten Jahreshälfte 2000 beginnen. Die Preise stehen noch nicht fest.

Eine große Schwäche von Mainboards mit Intels 820-Chipsatz ist der geringe Hauptspeicherausbau von maximal 512 MByte. Mehr lässt sich mit den aktuellen 256-MByte-RIMM s und ihren 128-MBit-Chips bei zwei Modulsteckplätzen nicht realisieren. Dabei wird die Rambus-Spezifikation schon voll ausgenutzt, die pro Channel maximal 32 Chips erlaubt.

Die für den 0,17-Mikron-Prozess vorgesehenen 288-MBit-Chips von Samsung ermöglichen nun einen Hauptspeicherausbau bis zu 1 GByte. Ein damit hergestelltes 576-MByte-RIMM ist beidseitig mit insgesamt 16 RDRAM-Chips bestückt.

Ungewöhnlich ist der Schritt auf die Kapazität von 288 MBit, denn schlüssig wäre die Verdopplung der aktuellen 128-MBit-Chips auf 256 MBit gewesen. Die Erklärung ist einfach: Durch die 18-Bit-Datenbreite sind die Samsung-Chips für das ECC -Verfahren geeignet (16 Bit für Daten, zwei Bit für ECC). Das Prüfverfahren kostet zusätzlichen Speicherplatz und erfordert normalerweise einen extra Chip auf den Modulen, was die Begrenzung auf 32 Chips überschreiten würde. Bei den neuen 288-MBit-Chips lässt sich der Speicherplatz für das ECC-Verfahren intern realisieren. Für die Daten bleiben dann immer noch 256 MBit übrig, was pro 576-MByte-RIMM 512 MByte Kapazität für Daten ergibt. (cvi)