Samsung startet Produktion von FB-DIMM-Speicher

Der koreanische Halbleiterhersteller Samsung Electronics beginnt mit der Produktion von Fully-Buffered-DIMMs. Die Speichermodule basieren auf der DDR2-Speichertechnologie. Die ersten Muster verfügen über eine Gesamtkapazität von 512 MByte und 1 GByte.

Fully-Buffered-DIMMs stellen die nächste Generation von Speichermodulen im Server- und Workstationbereich dar. Das FB-DIMM unterstützt ausschließlich DDR2- und DDR3-Speicherbausteine. Jedes Modul besitzt neben den Speicherchips einen speziellen, so genannten Advanced Memory Buffer (AMB). Dieser Baustein stellt über 24 differenzielle Leitungspaare, ähnlich wie bei der seriellen PCI-Express-Technologie, eine Verbindung zum Memory-Controller her. Maximal verwaltet die FB-DIMM-Technologie acht Module pro Speicherkanal.

Speicher der Zukunft: Samsung beginnt mit der Sample-Produktion von FB-DIMMs.

Die serielle Schnittstellentechnik der FB-DIMM-Architektur ermöglicht eine hohe Performance und Skalierbarkeit. Gegenüber der herkömmlichen parallelen Registered-DIMM-Speichertechnologie bedeutet das in der Praxis: Erhöhung der Speicherkapazität um etwa den Faktor 24 und eine Vervierfachung der Speicherbandbreite.

Zusätzlich bietet die FB-DIMM-Technologie für den Server- und Workstation-Einsatz umfangreiche Datensicherheits-Features. Dazu zählen neben dem standardmäßigen ECC auch eine CRC-Fehlerkorrektur für Daten- und Kommandoübertragungen. Darüber hinaus sorgen eine Transient-Bit-Error-Funktion und eine Bit Lane Fail-Over Correction sowie ein Error-Register im AMB für höhere Datenintegrität. Eine Hot-Add-Funktion rundet die Anzahl der Sicherheits-Features ab.

Erste serienreife Chipsätze mit der entsprechenden Speicherunterstützung werden ab Anfang 2006 erwartet. Dazu zählt Intels Bayshore-Chipsatz, der Itanium-Prozessoren und FB-DIMMs mit DDR2-SDRAM unterstützt.

Weitere Details zur FB-DIMM-Technologie erfahren Sie in unserem Grundlagenartikel FB-DIMM: Revolutionärer Speicher für Server. (hal)

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