Intel liefert erste 65-nm-NOR-Flash-Speicher

Intel will bereits Ende des zweiten Quartals 2006 erste Testmuster seiner Multi-Level-Cel-NOR-Flash-Speicher ausliefern. Laut Hersteller werden die Chips die ersten auf dem Markt sein, die mit 65nm-Technologie gefertigt wurden und über eine Speicherdichte von 1 Gigabit verfügen.

Zum Einsatz kommen Intels NOR-Flash-Speicher beispielsweise in Mobiltelefonen als Speicher für Anwendungen, PIM-Daten (Personal Information Management) sowie Fotos, Musik oder Videos. "Mit den neuen Flash-Produkten bietet Intel die derzeit fortschrittlichsten NOR-Flash-Speicher für den breiten Handymarkt und baut seinen Vorsprung im Markt weiter aus", erläutert Brian Harrison, Intel Vice President und General Manager der Flash Memory Group. "Unsere 65nm-Fertigungstechnologie wird die Performance unserer Flash Speicher verbessern und den Weg für funktionsreichere Handys ebnen."

Intel produziert bereits seit der zweiten Jahreshälfte 2005 Halbleiter auf Basis des Herstellungsverfahrens mit 65nm Strukturbreite und liefert 65nm-Prozessoren für Notebooks, Desktop-Computer, Server und Embedded-Anwendungen. (hal)

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