Infineon fertigt DRAMs in 0,14-µ-Technik

Infineon hat mit der Massenfertigung von 256-MBit-DRAMs in 0,14-Mikron-Technologie begonnen. Muster von hochintegrierten 512-MByte-Modulen auf Basis des 0,14-Mikron-Prozesses seien bereits von Intel qualifiziert worden.

Die neue Fertigungstechnologie ermögliche 18 Prozent kleinere Strukturen als der bisher verwendete 0,17-Mikron-Prozess. Dadurch produziere man um 30 Prozent günstiger, teilte Infineon mit.

In der 200-mm-Fab in Dresden hat Infineon die 0,14-Mikron-Technologie bereits im September eingeführt und ist nun für die Massenproduktion bereit. Die Produktionsstätten in Richmond/Virginia und in Hsinchu/Taiwan bereiten die Umstellung nach Angaben von Infineon derzeit vor.

Mit den neuen 256-MBit-DRAMs produziere man die kleinsten Chips dieser Kapazität. Neben dem Shrink in der Fertigung ermöglicht die laut Infineon "einzigartige Trench-Zellentechnologie" bei vergleichbaren Architekturen und DRAM-Größen 10 Prozent kleinere Chips als andere Zellentechnologien.

Muster des 256-MBit-SDRAMs seien seit dem Sommer getestet und zum Teil schon qualifiziert worden. Intel habe Unbuffered-Module der 256-MBit-SDRAM-Version in die Liste der qualifizierten Speichermodule für das Pentium-4-Mainboard D845HV (i845-Chipsatz) aufgenommen.

Die von Intel qualifizierten 512-MByte-Module seien die ersten PC133-Speicherriegel, die auf 256-MBit-Komponenten beruhen und alle Tests bei CAS-Latency 2 bestanden hätten. Alle vergleichbaren Module seien nur für CAS-Latency 3 zugelassen.

Zusätzliche Informationen finden Sie in den Artikeln Alle Speichermodule im Überblickund Alles zu PC100/PC133-SDRAM. (uba)