Die Jagd nach dem 15-Nanometer-Transistor

IBM: Double-Gate-Transistoren

IBM, die bereits den Kupfer- und den SOI-Prozess für AMD entwickelt hatten, geht noch einen Schritt weiter. Dort wird derzeit ein Transistor mit zwei statt dem bisher einen Gate entwickelt. Diese Gates werden durch einen Silizium-Finne getrennt. Daher auch der Name "FinFET". FET ist die bekannte Abkürzung für "Field Effect Transistor" - auf diesem Schaltungsprinzip basieren alle schnellen Halbleiter mit Transistoren.

Die beiden Gates sollen die Ladung besser festhalten können, als das bei einem einzelnen Gate der Fall wäre. IBM verspricht sich von dem neuen Transistor-Design mehr Spielraum für Verkleinerungen der Strukturen. Wie klein der auch als Aufnahme aus dem Elektronenmikroskop gezeigte FinFET bereits ist, gab IBM nicht an.

Dennoch ist der Double-Gate-Transistor mit IBMs jüngster Veröffentlichung über das Stadium einer Theorie hinaus. Der Ansatz unterscheidet sich deutlich von Intels Technik, die der Chip-Gigant mit seinem ersten 15-Nanometer-Transistor erläutert hatte. Dort wird der Ladungsfluss durch ein neuartiges Dielektrikum kontrolliert. Ob sich das aber weiter schrumpfen lässt, muss die Zukunft zeigen.