Bis dato waren derartige Geschwindigkeiten nur mit Chips aus Galliumarsenid möglich, die Forscher bei Infineon verwendeten bei ihrem Rekord-Baustein hingegen mit Germanium angereichertes Silizium. Damit können Schaltzeiten von 3,7 Picosekunden erreicht werden, berichtet Computerpartner.
Die Einsatzmöglichkeiten für diese neuartigen Elektronikbauteile sieht der Hersteller vor allem im Bereich Kommunikationstechnik. So könnten Sende- und Empfängerstationen von Richtfunkstrecken damit versehen werden und auch für WLAN-Produkte sind die Rekord-Chips geeignet. (Computerpartner/uba)