IDF: Rambus demonstriert erstmals 3,2-GHz-XDR-DRAM

18.02.2004 von Ulrich Bantle
Rambus demonstriert auf dem Intel Developer Forum erstmals lauffähige Samples des XDR-DRAM. Der Speicher von Toshiba arbeitet mit 3,2 GHz Taktfrequenz und soll 2006 auch als Arbeitsspeicher in PCs dienen.

Die erste öffentliche Demonstration von 3,2-GHz-XDR-DRAM-Speicher sieht Rambus als großen Schritt für die künftige Massenproduktion. Bei der Vorführung verwendet Rambus 512-MBit-XDR-DRAMs von Toshiba. Der neue Speicher soll 2006 in PCs Einzug halten. Neben Toshiba haben bereits Elpida und Samsung die XDR-Technologie lizenziert. Die Serienproduktion des XDR-Speichers soll noch Ende 2004 beginnen.

XDR-DRAM-Chips wird es mit einer variablen Datenbusbreite von 1 bis 32 Bit geben. Die Taktfrequenz beträgt dabei 3,2 GHz und lässt sich auf bis zu 6,4 GHz hochskalieren. Ein beispielsweise 16 Bit breites XDR-DRAM erlaubt damit Bandbreiten von 6,4 bis 12,8 GByte/s. Mit der XDR-Technologie bietet Rambus somit eine vielfach höhere Datentransferrate als DDR/DDR2-SDRAM. Kernstück der XDR-Technologie ist der "octal-pumped" betriebene Datenbus. Bei einer realen Taktfrequenz von 400 bis 800 MHz werden pro Taktzyklus durch ODR (Octal Data Rate) acht Bits mit der steigenden und fallenden Flanke übertragen. Dadurch ergeben sich die effektiv sehr hohen Taktfrequenzen von 3,2 bis 6,4 GHz. Aktuelles PC1066-RDRAM arbeitet mit einer Taktung von 533 MHz - durch Ausnutzung beider Flanken mit effektiven 1066 MHz.

Bandbreite von über 100 GByte/s geplant

Die zweite Neuerung bei XDR-DRAMs sind die Differential Rambus Signaling Levels (DRSL). DRSLs arbeiten mit einem extrem niedrigen Signalhub von 200 mV. Die Signalpegel liegen bei einer Spannung von 1,0 und 1,2 V. Außerdem hat Rambus die bidirektional arbeitende Terminierung mit DRSL auf den Chip verlagert. Durch das Differentialsignal werden zwei Leitungen statt bislang eine pro Signal benötigt. Somit entfällt der Designvorteil der geringen Leitungsanzahl.

Speichermodule mit XDR-DRAM bezeichnet Rambus als XDIMMs. Die ersten Module bieten im Jahr 2006 eine Bandbreite von 12,8 bis 25,6 GByte/s. Dabei besitzen die XDIMMs den gleichen Formfaktor und dieselbe Pin-Anzahl wie DDR2-Module. Die Roadmap von Rambus sieht in den folgenden Jahren XDIMMs mit 128 Bit Datenbreite und 6,4 GHz Taktfrequenz vor. Diese Module bieten dann eine Bandbreite von über 100 GByte/s.

Wie Steven Woo, Principal Engineer bei Rambus gegenüber tecCHANNEL äußerte, befinde man sich im ständigen Kontakt mit den großen Chipsatz-Herstellern. Mit XDR-DRAM bestehen für Rambus durchaus Chancen für einen "zweiten Frühling" im PC-Bereich. (cvi)

tecCHANNEL Preisvergleich & Shop

Produkte

Info-Link

Speicher

Preise und Händler