Die Silberverbindung mit der Summenformel "Ag10Te4Br3" ändert temperaturgesteuert ihre physikalischen Eigenschaften. Die Entwicklung lässt neue Impulse für die Datenspeichertechnologie und die Computerchiparchitektur erwarten.
"Das neue Material kann dazu beitragen, die Chipherstellung zu vereinfachen", so Dr. Nilges von der WWU Münster. "Statt zweier dotierter Materialien müsste zum Beispiel bei integrierten Schaltkreisen zur Herstellung von Transistoren nur noch eines – nämlich unsere Neuentwicklung – verwendet werden."
Nilges hat die Forschungsarbeit gemeinsam mit WWU-Forschern um Prof. Dr. Hellmut Eckert und Prof. Dr. Hans-Dieter Wiemhöfer sowie Wissenschaftlern aus Regensburg und Bordeaux (Frankreich) durchgeführt. Ein Gießener Kollege des Forscherteams, Prof. Dr. Jürgen Janek, schätzt die Bedeutung des neuen Materials hoch ein. Es stelle einen aussichtsreichen Kandidaten für die Halbleiterindustrie dar, um als Schaltmaterial oder als so genannter Einkomponenten-Transistor verwendet zu werden.
Doch das Material hat noch mehr Potenzial. Aufgrund einer sehr hohen Ionenmobilität könnte es als "Thermoelektrikum" künftig helfen, Strom aus alternativen Energiequellen wie Sonnenlicht zu erzeugen. "Als weiter optimierbares 'Bulk-Thermoelektrikum' zeigt unser Material einen neuen Weg auf, in der Zukunft emissionsfrei Strom zu erzeugen und damit die Umwelt zu schonen", so Nilges weiter.
Nilges ist an der WWU Teilprojektleiter des Sonderforschungsbereichs "Ionenbewegung in Materialien mit ungeordneten Strukturen". Im Jahr 2008 wurde er mit dem Preis zur Forschungsförderung der Dr. Otto Röhm-Gedächtnisstiftung ausgezeichnet. Er wird jährlich an herausragende Nachwuchschemiker verliehen. (dsc)