DDR-SDRAM gehört noch zum Standardarbeitsspeicher in den heutigen Rechnersystemen. Rasant vollzog sich die Entwicklung dieser neuen Speichertechnologie. Mitte 2000 erschienen erste Chipsätze mit DDR200/266-SDRAM-Unterstützung. Heute liefern Speicherhersteller bereits DDR400-Module und solche, die diese Spezifikation übertreffen.
Aber ein Ende dieser Speichertechnologie ist bereits abzusehen, denn seit Juni 2004 befindet sich mit DDR2 die nächste Generation auf dem Markt. Die Vorteile: DDR2-Speicher arbeitet bei gleicher Bandbreite mit der halben internen Core-Taktfrequenz und verringert signifikant den Energieverbrauch gegenüber dem herkömmlichen DDR-Memory.
Der Chipsatzhersteller VIA setzt inzwischen ebenfalls auf die neue DDR2-Speichergeneration. Zuvor favorisierte das taiwanische Unternehmen lange Zeit die Quad-Band-Memory-Technologie (QBM) - inzwischen ist es ruhig darum geworden. Durch einen technischen Trick verdoppelt sich die Bandbreite der QBM-Speichermodule, obwohl nur Standard-DDR266/333/400-Speicherchips eingesetzt werden.
Auch SiS beschritt neue Wege bei der Erhöhung der Bandbreite des Speicherbusses. Der Chipsatzhersteller benutzte die von Intel lange Zeit bevorzugte RDRAM-Technologie und entwickelte sie zusammen mit dem Unternehmen Rambus weiter. Im SiSR659-Chipsatz verwendet SiS PC1200-Speichermodule und die Quad-Channel-Speicher-Interface-Technologie auf Basis von RDRAM. Doch laut aktueller Roadmap setzt SiS mit neuen Chipsätzen ebenfalls auf die DDR2-Speichertechnologie.
Die Entwicklung neuer Speichertechnologien geht bereits weit über 2007 hinaus. Schon jetzt sickern die ersten technischen Eckdaten des JEDEC-Gremiums für DDR3, den Nachfolger von DDR2, durch. Darüber hinaus stellen Intel mit Fully-Buffered-DIMM und Rambus mit XDR-DRAM neue zukünftige Speichertechnologien vor.
Update: Marktentwicklung aktueller Speichertechnologien
Die DDR333- und DDR400-Speichertechnologien haben sich auf dem Markt etabliert. Jeder Chipsatzhersteller bietet mittlerweile ein vielfältiges Portfolio an Chipsätzen an, die beide Speichertypen unterstützen. Die Preise differieren zum Beispiel für 512-MByte-Module um einstellige Euro-Beträge für das billigere DDR333. Noch sind die aktuellen Marktanteile von DDR333 hoch, sie werden sich aber im kommenden Jahr deutlich zu Gunsten des schnelleren DDR400- und DDR2-Speichers verschieben.
DDR200 spielt nur noch eine untergeordnete Rolle und PC133-Memory verlor im Laufe des Jahres 2003 gänzlich an Marktbedeutung.
Da Intel nach der aktuellen Roadmap keine weiteren Chipsätze mit RDRAM-Unterstützung entwickelt, schwindet die Marktpräsenz dieser Speichertechnologie zunehmend. Zwar hat der taiwanische Hersteller SiS noch entsprechende Chipsätze im Portfolio, allerdings hat sich das auf den Absatz von entsprechenden Modulen nicht entscheidend ausgewirkt.
Die Marktanteile der DDR2-Speichertechnologie für Rechnersysteme befinden sich seit der Einführung der Intel-Chipsätze i915/i925 im Juni 2004 im Wachstum. Weitere Chipsätze mit DDR2-Support kündigten VIA für Dezember 2004 und SiS für Anfang 2005 an. Die DDR2-Technologie soll dann rasch den DDR-SDRAM-Speicher ablösen und vom Markt verdrängen.
Update: Status aktueller Speichertechnologien
Als Nachfolger von DDR333-SDRAM hat sich DDR400-Speicher durchgesetzt, dessen Ablösung wiederum im Laufe des Jahres durch DDR2-SDRAM begann. Chiphersteller wie Intel bieten bereits seit dem zweiten Quartal 2004 entsprechende Chipsätze für diese Speichertechnologie an. VIA und SiS folgen Ende 2004 beziehungsweise Anfang 2005.
Die Standards für DDR333-SDRAM verabschiedete das JEDEC-Gremium in den JESD-79-Spezifikationen im Mai 2002. Die Geburtswehen von DDR400 begannen mit der CeBIT 2002, auf der VIA und SiS die ersten Chipsätze für diesen Speichertyp zeigten. Erster Anbieter von DDR400-SDRAM-Chips war Samsung. Doch für die ersten Speichermodule existierten keine offiziellen Spezifikationen seitens der JEDEC, so dass jeder Speicherhersteller seine eigenen technischen Standards für DDR400-Speicher festlegte. Kompatibilitätsprobleme waren nicht auszuschließen.
Nachdem sich Intel im September 2002 noch klar gegen DDR400-Speicher ausgesprochen hat, vollzog das Unternehmen im Frühjahr 2003 eine Kehrtwende: Die Chipsätze i875 (Canterwood) und i865 (Springdale) bieten Dual-Channel-DDR400-Support. Intel präsentierte sogar eigene DDR400-Spezifikationen, die Kompatibilität und ein sicheres Funktionieren des Speichers gewährleisten sollen. Die Intel-Spezifikation Revision 0.996 war beispielsweise auf den 12. März 2003 datiert. Seit Ende März 2003 liegt die finale DDR400-Spezifikationen des JEDEC-Gremiums vor. Zu den wesentlichen Neuerungen von DDR400- gegenüber DDR333-Speicher zählen ein strafferes Signal-Timing, veränderte Betriebsspannungs-Parameter und eine verbesserte Signalqualität auf den Leitungen.
Bei RDRAM löste PC1066-Speicher erfolgreich den PC800-Speicher ab. Auch RDRAM-1200-Module sind erhältlich - aber selten und zu sehr hohen Preisen. Der einzige Chipsatz, der diese Speichertechnologien zurzeit einsetzt, ist der SiS R658/9. Intel plant keine weiteren Chipsätze mit RDRAM-Support, so dass SiS künftig als einziger Chiphersteller RDRAM im Desktop-, Server- und Workstation-Bereich unterstützt. Allerdings stehen auf der aktuellen SiS-Roadmap keine weiteren Chipsätze mit RDRAM-Unterstützung, so dass diese Speichertechnologie wohl endgültig vor dem Aus steht.
Update: DDR2 auf der Überholspur
Bei der DDR2-Speichertechnologie handelt es sich um eine Weiterentwicklung des aktuellen DDR-SDRAM-Standards. Die Speichermodule in DDR2-400- und DDR2-533-Ausführung haben sich bereits auf dem Markt etabliert. Sie erreichen eine theoretische Speicherbandbreite von 2,98 beziehungsweise 3,97 GByte/s. DDR2-667- und DDR2-800-Speicher sollen Anfang 2005 mit 4,97 und 5,96 GByte/s folgen. Allerdings gibt es bei DDR2-800-Modulen zusätzliche technische Herausforderungen wie engere AC-Timings. Diese erfordern ein verbessertes DIMM- und Mainboard-Design.
DDR2 überträgt Daten unverändert zu DDR-SDRAM mit steigender und fallender Taktflanke. Mit dem 4-Bit-Prefetch erreichen die DDR2-Module gegenüber den herkömmlichen DDR-Speichern bei gleicher interner Taktfrequenz die doppelte externe Bandbreite. So haben DDR400 und DDR2-400 mit 2,98 GByte/s die gleiche Speicherbandbreite, allerdings arbeitet DDR400 mit einer Core-Frequenz von 200 MHz und DDR2-400 nur mit 100 MHz. Die externe Busfrequenz beträgt bei beiden Speichertypen 200 MHz.
DDR2-Speicherchips benötigen eine Spannung von 1,8 V, statt 2,5/2,6 V bei DDR. Da die Core-Spannung quadratisch in die Leistungsaufnahme eingeht, halbiert sich der Energieverbrauch von DDR2- gegenüber DDR-Speicher.
Die Signalqualität auf den Datenleitungen von DDR2-Bausteinen soll sich durch eine On-Die-Terminierung gegenüber DDR-Chips verbessern. Das garantiert eine erhöhte Stabilität während des Betriebs. Zusätzlich verwendet DDR2 die "Off Chip Driver Calibration" (OCD). Diese Technik gewährleistet, dass die Treiberschaltungen der Speicherzellen Lastschwankungen dynamisch ausgleichen und somit Signalfehler vermieden werden. Darüber hinaus steigert die Posted-CAS-Funktion - eine Befehlssteuermethode - die Effizienz bei der Übertragung von Daten über den Speicherbus.
Die finalen Spezifikationen für DDR2-Speicher hat die JEDEC im September 2003 in dem Dokument JESD-79-2 veröffentlicht. Nahezu alle namhaften Chipsatzhersteller haben bereits ihre Chipsätze mit DDR2-Support am Start. Intel als Vorreiter verkauft seit Juni 2004 den i915- (Codename "Grantsdale") und den i925-DDR2-Chipsatz (Codename "Alderwood") für Desktop-Anwendungen. Für Server-Systeme heißt das Pendant E7320/E7520 (Codename "Lindenhurst") und für die Workstations E7525 (Codename "Tumwater"). VIAs Entwicklung nennt sich Apollo PT890 und ist mit einem Dual-Channel-DDR2-Controller ausgestattet. Über die gleiche Speichertechnologie verfügt der SiS656-Chipsatz von SiS. ATI und NVIDIA wollen 2005 mit entsprechenden Chipsätzen folgen.
Update: RDRAM auf dem Abstellgleis?
Neben Intel verfügt auch SiS über die Lizenz der Rambus-Speicher-Technologie. Schenkt man der Intel-Roadmap Glauben, gibt es außer dem 850E keinen weiteren Chipsatz mit RDRAM-Unterstützung von Intel. Diesen Zustand nutzte der taiwanische Chipsatzhersteller SiS aus. Ende 2002 stellte das Unternehmen den R658-Chipsatz mit Dual-Channel-Speicher-Interface und PC1066-RDRAM-Support vor. Im November 2003 folgte der R659 mit Quad-Channel-Speicherarchitektur und PC1200-RDRAM-Unterstützung. Allerdings sind aktuell von SiS keine weiteren Chipsätze für RDRAM-Speicher in Planung.
Chipsätze wie Intel 850E und SiS R658 mit Dual-Channel-Speicherbus erreichen mit PC1066-RDRAM eine Bandbreite von 3,97 GByte/s. Das Quad-Channel-Speicher-Interface des SiS R659 bietet mit 1200-MHz-RDRAMs eine Bandbreite von 8,94 GByte/s. Dies schafft genügend Performance-Reserven für den Pentium 4 mit 800 MHz FSB. Der Prozessorbus kommt bei FSB800 auf eine theoretische Bandbreite von 5,96 GByte/s.
Ein Blick in die Roadmaps namhafter Speicherhersteller offenbart, dass RDRAM auch ohne Intel weiterentwickelt wird. So soll es Anfang 2005 64-Bit-RDRAM-Module mit PC1200- und PC1333-Chips geben. Sie erreichen mit 4x 16 Bit Busbreite (Quad-Channel) eine maximale Bandbreite von 8,94 beziehungsweise 9,93 GByte/s. Weitere Entwicklungen wie PC1600-RDRAM mit einer Bandbreite von 11,92 GByte/s (Quad-Channel) planen die Unternehmen für 2005.
Quad-Band-Memory-Technologie im "Aus"
Die Quad-Band-Memory-Technologie wurde von Kentron bereits im März 2000 vorgestellt. Außer bei wenigen SRAM-Implementierungen kam QBM bislang kaum zum Einsatz. Durch die Lizenzierung von VIA und S3 Graphics sollte QBM auch in den PCs Einzug halten. QBM-Module sind als DDR533 und DDR667 geplant.
Erste Mainboards (PT880-Chipsatz) mit QBM-Unterstützung wollte VIA bereits Ende 2003 ausliefern. Durch enorme technische Probleme verschob der Hersteller die Einführung von QBM auf unbestimmte Zeit. So bleibt es zweifelhaft, ob VIA überhaupt je mit QBM-Produkten an den Start geht.
Die QBM-Module bestehen im Prinzip aus zwei zusammengesetzten DDR-Modulen. Bei einem DDR667-QBM-Modul arbeitet die eine Speicherbank mit dem normalen 333-MHz-DDR-Speichertakt eines DDR333-SDRAMs, die andere mit einem um 90 Grad verschobenen. So liefern beide Teilmodule zeitlich versetzt ihre Daten mit 333 MHz - jeweils mit steigender und fallender Flanke. Die Ausgänge der Teilmodule werden über einen schnellen Schalter gemultiplext und so mit effektiv 667 MHz auf den Datenbus gelegt. Die Datenbreite von DDR-SDRAM mit 64 Bit wird bei QBM beibehalten. Auf diese Weise gelingt es, die Datenrate von DDR333-SDRAM auf 667 MHz zu verdoppeln. Ein DDR667-QBM-Modul bietet somit eine Bandbreite von 5,3 GByte/s (1000er Basis) - bei gleichem Takt wie DDR333-SDRAM.
Laut VIA sind QBM-Module kompatibel zum existierenden 184 Pin breiten DDR-SDRAM-Interface. Mainboards für QBM benötigen kein neues Layout oder eine teure Anpassung und sollen abwärtskompatibel zu DDR-SDRAM sein. Hersteller von QBM-Speicher müssen keine Lizenzgebühren zahlen.
Update: DDR3 - Speicher der Zukunft
Die JEDEC arbeitet bereits seit Mitte 2002 an der zukünftigen DDR3-SDRAM-Speichertechnologie. Die detaillierten technischen Eckdaten für DDR3 stehen noch nicht exakt fest. Denn bei einer Gesamtlösung wie der DDR3-Technologie gilt es, Speicherchips, Register, Puffer und Module neu zu spezifizieren.
Allerdings gab das JEDEC-Gremium bereits einige Einzelheiten zu DDR3 preis. So ist DDR3 eine evolutionäre Weiterentwicklung der DDR2-Speichertechnologie und bietet mit einer 8-Bit-Prefetch-Technologie bei gleicher realer Taktfrequenz höhere Bandbreiten als DDR2-SDRAM mit 4-Bit-Prefetch. Erste DDR3-SDRAM-Module werden mit einer Taktfrequenz von 800 beziehungsweise 1066 MHz an den Start gehen.
Um eine niedrige Leistungsaufnahme zu gewährleisten, arbeitet der Speicher mit einer Core-Spannung von 1,5 V. Dagegen benötigt DDR2 1,8 V und DDR400 2,6 V. Zur weiteren Energieeinsparung beherrscht DDR3-SDRAM effizientere Powermanagement-Modi. Einen Fortschritt verspricht DDR3-Speicher auch durch 15 bis 20 Prozent niedrigere Latenzzeiten beim Lesen von Daten. Zudem bleibt der Steckplatz von DDR3-DIMMs im Vergleich zu DDR2-Modulen bis auf die versetzte Markierungskerbe unverändert.
Wie schon DDR- und DDR2-Speicher soll DDR3 vom Desktop bis zum Server alle Einsatzbereiche abdecken. Finale JEDEC-Spezifikationen des DDR3-Standards werden Ende 2005 erwartet. Die Massenfertigung soll dann 2006/2007 erfolgen. Samsung, Infineon und Micron zählen zu den Vorreitern der DDR3-Speichertechnologie.
FB-DIMM
Unter dem Namen FB-DIMM verbirgt sich die Bezeichnung "Fully Buffered DIMM". FB-DIMM repräsentiert eine neue Speichermodul-Technologie. Sie soll ausschließlich im Server-Umfeld sicherstellen, dass trotz steigender Memory-Taktfrequenz der maximale Speicherausbau eines Systems nicht verringert werden muss, sondern sogar erhöht werden kann. Der Initiator Intel will 2005 mit dieser neuen Generation von Speichermodulen auf den Markt kommen. Die Massenproduktion wird nicht vor Mitte 2006 erwartet.
Das FB-DIMM unterstützt DDR2- und DDR3-Speicherbausteine. Jedes Modul besitzt neben den Speicherchips einen speziellen so genannten Hub-Buffer-Baustein. Dieser Buffer-Chip stellt über 24 differentielle Leitungspaare eine Verbindung zum Memory Controller her. Über diesen Bus und den Treiberchip gelangen Steuerinformationen und Daten vom Speicher-Controller zu den Speichermodulen und umgekehrt. So entlasten FB-DIMMs ähnlich wie Registered-DIMMs die Adress- und Steuerleitungen durch einen dazwischen geschalteten Treiberbaustein.
Maximal adressiert die FB-DIMM-Technologie 288 Devices pro Speicherkanal. Demgegenüber begnügt sich das herkömmliche Verfahren mit 72. Vorteil: FB-DIMMs benötigen weniger Speicherkanäle für einen entsprechenden Speicherausbau als das aktuelle Verfahren mit Standard-DIMMs.
Weitere Pluspunkte bietet FB-DIMM mit simultanen Schreib- und Leseoperationen, so dass die verfügbare effektive Bandbreite pro Speicherkanal steigt. Zusätzlich bleiben der DIMM-Form-Faktor erhalten und die Anzahl der Pins gleich, allerdings mit einem veränderten Pinout.
Mehr detaillierte Informationen zur FB-DIMM-Technologie finden Sie in dem Artikel: FB-DIMM: Revolutionärer Speicher für Server
XDR-DRAM I
Angelehnt an die RDRAM-Technologie stellte Rambus im September 2003 mit XDR-RAM eine neue Speichergeneration vor. Als Grundlage für das XDR-DRAM nutzt Rambus das unter dem Namen Yellowstone entwickelte Speicher-Interface. Zu den ersten Lizenznehmern gehören Elpida, Samsung und Toshiba. Sie wollen XDR-Speicher bereits 2005 in Massenproduktion gehen. Als Basistechnologie kommt XDR-DRAM voraussichtlich in Sonys Playstation 3 erstmals zum Einsatz. In PCs soll der neue Speicher im Jahr 2006 Einzug halten. Aber auch in Servern, mobilen Systemen und Netzwerkbereichen soll XDR-DRAM Verwendung finden. Die Weichen für die Einführung der neuen Speichertechnologie hat Rambus schon gestellt, denn erste Spezifikationen und Dokumentationen sind bereits vorhanden.
XDR-DRAM-Chips soll es mit einer variablen Datenbusbreite von 1 bis 32 Bit geben. Die Taktfrequenz beträgt dabei 3,2 GHz und lässt sich auf bis zu 6,4 GHz skalieren. So erlaubt zum Beispiel ein 16 Bit breites XDR-DRAM Bandbreiten von 6,4 bis 12,8 GByte/s. Kernstück der XDR-Technologie ist der octal-pumped betriebene Datenbus. Bei einer realen Taktfrequenz von 400 bis 800 MHz werden pro Taktzyklus acht Bits mit der steigenden und fallenden Flanke übertragen. Dadurch ergeben sich die effektiven Transferfrequenzen von 3,2 bis 6,4 GHz. Aktuelles PC1066-RDRAM arbeitet mit einer Taktung von 533 MHz - durch Ausnutzung beider Flanken mit effektiven 1066 MHz.
XDR-DRAM II
Eine weitere Neuerung bildet die Flex-Phase-Technologie. Im Gegensatz zur traditionellen seriellen synchronen Leitungstechnik benötigt Flex Phase keine zusätzlichen Taktgeberleitungen. Der Datenfluss und Takt werden auf den differenziellen Leitungspaaren automatisch aufeinander abgestimmt. Das verringert Latenzzeiten und erhöht die nutzbare Bandbreite. Durch das Differenzialsignal werden zwei Leitungen statt bislang eine pro Signal benötigt.
Zusätzliche Vorteile der XDR-DRAMs sind die Differential Rambus Signaling Levels (DRSL). DRSLs arbeiten mit einem extrem niedrigen Signal-Hub von 200 mV. Die Signalpegel liegen bei einer Spannung von 1,0 und 1,2 V. Außerdem hat Rambus die bidirektional arbeitende Terminierung mit DRSL auf den Chip verlagert. Darüber hinaus ermöglicht XDR-DRAM durch die interne Organisation des Speichers gleichzeitige und voneinander unabhängige Schreibzugriffe. So können zum Beispiel auf die ungeraden Speicherbänke (Odd BankSet) Schreibzugriffe erfolgen, und zeitgleich lassen sich aus den geraden Speicherbänken (Even BankSet) Informationen auslesen.
Speichermodule mit XDR-DRAM bezeichnet Rambus als XDIMMs. Die ersten Module sollen 2006 eine Bandbreite von 12,8 bis 25,6 GByte/s bieten. XDIMMs besitzen den gleichen Formfaktor und die gleiche Pinanzahl wie DDR2-Module. Die Roadmap von Rambus sieht in den folgenden Jahren XDIMMs mit 128 Bit Datenbreite und 6,4 GHz Taktfrequenz vor. Diese Module bieten dann eine Bandbreite von über 100 GByte/s.
Speichertechnologien im Vergleich
In der folgenden Tabelle finden Sie die aktuellen und zukünftigen Speichermodule und deren wichtigste Kenndaten im Überblick.
Speicher- Typ | Bandbreite, Basis: 1000 (GByte/s) | Bandbreite, Basis: 1024 (GByte/s) | Busbreite (Bit) | Frequenz (MHz) | Spannung (V) | Modul-typ |
|---|---|---|---|---|---|---|
Dual-Channel bezieht sich nicht auf das Modul, sondern auf den verwendeten Speicher-Controller. | ||||||
PC133 | 1,1 | 0,99 | 64 | 133 | 3,3 | DIMM |
DDR200 | 1,6 | 1,49 | 64 | 100 | 2,5 | DIMM |
DDR266 | 2,1 | 1,99 | 64 | 133 | 2,5 | DIMM |
DDR266 Dual- Channel | 4,3 | 3,97 | 2x 64 | 133 | 2,5 | DIMM |
DDR533-QBM | 4,3 | 3,97 | 64 | 133 | 2,5 | DIMM |
DDR333 | 2,7 | 2,48 | 64 | 166 | 2,5 | DIMM |
DDR333 Dual- Channel | 5,3 | 4,97 | 2x 64 | 166 | 2,5 | DIMM |
DDR667-QBM | 5,3 | 4,97 | 64 | 166 | 2,5 | DIMM |
DDR400 | 3,2 | 2,98 | 64 | 200 | 2,6 | DIMM |
DDR400 Dual-Channel | 6,4 | 5,96 | 2x 64 | 200 | 2,6 | DIMM |
DDR800-QBM | 6,4 | 5,96 | 64 | 200 | 2,6 | DIMM |
DDR2-400 | 3,2 | 2,98 | 64 | 200 | 1,8 | DIMM |
DDR2-533 | 4,3 | 3,97 | 64 | 266 | 1,8 | DIMM |
DDR2-667 | 5,3 | 4,97 | 64 | 333 | 1,8 | DIMM |
PC800-RDRAM | 1,6 | 1,49 | 16 | 400 | 2,5 | RIMM16 |
PC800-RDRAM | 3,2 | 2,98 | 2x 16 | 400 | 2,5 | RIMM32 |
PC1066-RDRAM | 2,1 | 1,99 | 16 | 533 | 2,5 | RIMM16 |
PC1066-RDRAM | 4,3 | 3,97 | 2x 16 | 533 | 2,5 | RIMM32 |
PC1200-RDRAM | 2,4 | 2,23 | 16 | 600 | 2,5 | RIMM16 |
PC1200-RDRAM | 4,8 | 4,47 | 2x 16 | 600 | 2,5 | RIMM32 |
PC1200-RDRAM | 9,6 | 8,94 | 4x 16 | 600 | 2,5 | RIMM64 |
PC1333-RDRAM | 2,7 | 2,48 | 16 | 666 | 2,5 | RIMM16 |
PC1333-RDRAM | 5,3 | 4,97 | 2x 16 | 666 | 2,5 | RIMM32 |
PC1333-RDRAM | 10,7 | 9,93 | 4x 16 | 666 | 2,5 | RIMM64 |
XDR-DRAM | 3,2 | 2,98 | 16 | 400 | 1,2 | XDIMM |
XDR-DRAM | 6,4 | 5,96 | 16 | 800 | 1,2 | XDIMM |
Update: Fazit
Noch steht DDR-SDRAM in der Gunst der Käufer. DDR-Speicher verfügt zusammen mit einem Dual-Channel Memory Controller über genügend Bandbreite, um auch CPUs mit einem FSB von 800 MHz ohne Engpässe mit Daten zu versorgen.
Mit DDR2 entwickelten die Speicherhersteller die Nachfolgetechnologie von DDR-SDRAM. Die finalen Spezifikationen wurden im September 2003 veröffentlicht, und erste Chipsätze mit DDR2-Support befinden sich seit Juni 2004 auf dem Markt. Bereits jetzt ist abzusehen, dass im Laufe des Jahres 2005 DDR2-SDRAM mehr und mehr Marktanteile erobern wird und die übrigen Speichertechnologien verdrängt.
Um die Zeit bis zur Einführung eines DDR2-Speicher-Chipsatzes zu überbrücken, setzte VIA auf die Quad-Band-Memory-Technologie. Diese sollte noch Anfang 2004 im Pentium-4-Chipsatz PT880 zum Einsatz kommen. Doch durch nicht näher spezifizierte technische Probleme verschiebt sich die Einführung auf unbestimmte Zeit - falls diese Speichertechnologie je zum Einsatz kommt. VIAs erster DDR2-Chipsatz heißt PT890 und soll Anfang 2005 vorgestellt werden.
Nachdem Intel als der Hauptbefürworter der Rambus-Technologie sich davon verabschiedet hat, hielt SiS lange Zeit an RDRAM fest. Allerdings setzt der taiwanische Chipsatzhersteller heute ebenfalls verstärkt auf die DDR2-Technologie.
Als Konkurrenz zur DDR2-Speichertechnologie entwickelt das Unternehmen Rambus in Anlehnung an die RDRAM-Technologie eine neue Speichergeneration, genannt XDR-RDRAM. In PCs soll diese Speichertechnik ab 2006 zum Einsatz kommen. (hal)