Speicher-ICs gibt es in vielen verschiedenen Gehäusetypen, die sich in ihren Abmessungen und in der Form der Pins unterscheiden. Wichtiger für den Anwender ist aber der Griff zum richtigen Speichermodul. In welcher Gehäuseform die Speicherbausteine darauf platziert sind, bleibt für den Käufer letztendlich nebensächlich.
So werden die Arbeitsspeicher moderner Computer schon lange nicht mehr wie zu Urzeiten der ersten IBM-PCs mit einzelnen DRAM-ICs bestückt. Durchgesetzt hat sich die Zusammenfassung der einzelnen ICs auf Speichermodulen. Vorteile:
Einfache Realisierung von großen Datenbusbreiten und Kapazitäten durch Zusammenschaltung der einzelnen ICs.
Flexibilität beim Handling des Speichers durch einfaches Aufrüsten, Wechseln oder Weiterverwenden der Module.
Dabei hat sich die Entwicklung der Speichermodule den jeweiligen Rechnerarchitekturen angepasst. So hat sich nicht nur die Datenbreite der Module im Laufe der Jahre vervielfacht. Durch ständig steigende Taktfrequenzen wird das Layout der Module immer wichtiger und kritischer. tecCHANNEL führt die einzelnen Modultypen auf und erläutert im Folgenden die jeweiligen Unterschiede.
Neu: In unserer tecCHANNEL-Gallery finden Sie alle Module als Bilder übersichtlich abgebildet.
Wafer-Fertigung
Silizium spielt als Material in der Halbleitertechnik eine entscheidende Rolle. Diskrete Bauelemente, Logikschaltungen, ASICs, Prozessoren und Speicherchips nutzen es überwiegend als Basismaterial.
Die Vorteile von Silizium sind eindeutig: Das Rohmaterial Quarzsand ist in nahezu unbegrenzter Menge verfügbar und macht es zu einem kostengünstigen Ausgangsmaterial. Isolationsschichten zur Maskierung und elektrischen Isolation sind einfach zu realisieren. Silizium verbindet sich bei Raumtemperatur mit Sauerstoff zu Siliziumdioxid SiO2 und bildet durch diese einfache Oberflächenbehandlung einen hochwertigen elektrischen Isolator. Bei Halbleitern wie Germanium oder Gallium-Arsenid sind Isolationsschichten nur schwierig und kostenintensiv herstellbar.
Der Gewinn von Rohsilizium erfolgt in elektrischen Öfen durch die Abspaltung des Sauerstoffs aus dem Quarz. In weiteren chemischen Prozessen findet die Säuberung des Siliziums von Fremdstoffen statt.
Aus der Siliziumschmelze erfolgt über ein Zonenziehverfahren die Herstellung von Siliziumstäben. Ein wassergekühltes Innenloch-Metallsägeblatt mit Diamant besetzter Schnittkante zerschneidet die Stäbe in einzelne Scheiben. Durch den Schneidevorgang ist die Oberfläche aufgeraut und weist Gitterschäden im kristallinen Bereich auf. Verschiedene Ätz- und Politurverfahren tragen die oberste Schicht der Scheibe ab und bereiten sie für den nächsten Prozess vor.
Strukturerstellung
Die Integration der elektrischen Funktionen auf den planaren Wafer-Scheiben erfolgt in mehreren Fertigungsschritten:
Erzeugen einer Oxidschicht auf der Scheibe.
Auftragen eines Fotolacks.
Belichtung des Lacks über Strukturmasken.
Entfernen des belichteten Fotolacks.
Ätzen der Oxidschicht mit dem unbelichteten Fotolack als Maskierschicht.
Entfernen des unbelichteten Fotolacks durch einen weiteren Ätzvorgang.
Diffusion zur lokalen Dotierung des Siliziums mit Oxid als Maskierschicht.
Das Trennen der strukturierten Chips von der Siliziumscheibe erfolgt durch Ritzen, Lasern oder Sägen. Mittels Klebe-, Löt- oder Legierverfahren befestigt man dann die kleinen Silizium-Dies auf einem Systemträger. Die Verbindung der Pins des Systemträgers mit den Anschlusspads des Die erfolgt durch Einzeldraht-Kontaktierung mit Gold- oder Aluminiumdrähten. Diese Bond-Technik kann durch Thermokompressions-, Ultraschall- oder im Thermosonic-Verfahren (Kombination von beiden) erfolgen.
Erst jetzt wird der Systemträger mit dem aufkontaktierten Die in einem Gehäuse eingebettet. Damit ist der Schutz des empfindlichen Die sichergestellt, und die fertigen Bausteine lassen sich leicht weiter verarbeiten.
Gehäusetypen: DIP und SOJ
Integrierte Schaltungen gibt es in einer Vielzahl von Gehäusearten, die sich in Form und Anbringung der Pins sowie in der Baugröße unterscheiden. Die Produktion von DRAMs hat sich dagegen im Wesentlichen auf drei verschiedene Gehäusetypen konzentriert, die sich den jeweiligen Anforderungen angepasst haben.
Ein bei DRAMs der ersten Generation sehr beliebtes Gehäuseformat war das DIP. Bei diesem Gehäuse verlaufen die Pins im 90-Grad-Winkel zur Gehäuseebene gerade nach unten. Der Abstand zwischen den Pins beträgt 2,54 mm (entspricht 100 mil). DIP-Bausteine werden direkt in die Bohrungen der Platine gesetzt und dort verlötet. Alternativ gibt es Sockel für eine lötfreie Montage der ICs. In den Anfängen der PCs mit 8086er und 80286er Prozessoren waren die Arbeitsspeicher überwiegend mit DRAMs im DIP-Format aufgebaut.
Auf Grund der hohen Pinzahl und Integrationsdichte aktueller DRAMs verliert das DIP-Format bei Speicherbausteinen aber zunehmend an Bedeutung und wird kaum noch verwendet.
Das SOJ-Format ist aus dem DIP-Format hervorgegangen und wird für die direkte Oberflächenmontage verwendet. Die Pins verlaufen ebenfalls im 90-Grad-Winkel zur Gehäuseebene nach unten und sind dann j-förmig unter das Gehäuse eingebogen. Aus der Formgebung der Pins ist der Name dieser Gehäuseform entstanden. Gegenüber DIP ist der Abstand zwischen den Pins um die Hälfte auf 1,27 mm (50 mil) reduziert. Durch den Wegfall von Bohrungen für die Montage eignet sich das SOJ-Format auch für die doppelseitige Bestückung von Platinen. Speichermodule im SIMM-Format nutzen überwiegend diese Technik.
Gehäusetypen: TSOP und COB
Ein weiteres Format für die direkte Oberflächenmontage ist das TSOP, bei dem die Pins s-förmig sind. Chips in dieser Gehäuseform sind extrem dünn (im Bereich von 1 mm), es gibt sie in verschiedenen Varianten. Bei TSOP I befinden sich die Pins an den kürzeren Gehäuseseiten, der Abstand zwischen den Pins kann 0,5 oder 0,55 mm betragen. Die TSOP-II-Variante hat die Pins an den langen Gehäuseseiten mit Abständen von 0,65, 0,8 oder 1,27 mm. Eine miniaturisierte TSOP-II-Abwandlung ist die TSSOP-Gehäuseform, die mit Pinabständen von 0,4, 0,5 oder 0,65 mm verfügbar ist. TSOP-Bausteine werden in Geräten mit höchster Packungsdichte eingesetzt. Beispiele sind Speicher-ICs in tragbaren MP3-Playern, Handys und Mobile Computing.
Vereinzelt gibt es noch SIMM-Module mit DRAMs im COB-Packaging. Bei diesem Verfahren werden die Silizium-Dies mittels einer Bond-Technik direkt auf die Platine aufkontaktiert. Zum Schutz ist das Silizium-Plättchen in Epoxyd-Harz vergossen.
Die Produktion der aktuellen DRAM-Chips beschränkt sich aber durch die Vorteile der kostengünstigen Oberflächenmontage und der geringen Abmessungen im Wesentlichen auf die Gehäusevarianten SOJ und TSOP. Die Bestückung der Platinen erfolgt in einer SMD-Fertigungslinie. SOJ- und TSOP-ICs gehören zur Familie der SMDs. Für die Kontaktierung benetzt man zunächst die Anschlusspads der Platine mit einer Lötpaste. Anschließend wird das IC auf die benetzten Pads gesetzt. In einem Reflow-Ofen oder durch lokale Erhitzung der Kontakte mit einem Laserstrahl erfolgt schließlich die Lötung der Bauelemente.
Gehäusetypen: CSP/BGA
Durch steigende Taktfrequenzen sowie den Bedarf an höheren Packungsdichten etabliert sich bei den DRAMs seit einigen Jahren ein weiterer Gehäusetyp mit der Bezeichnung CSP.
Das CSP-Gehäuse nutzt keine seitlichen Pins für die Montage auf dem PCB. Die elektrische Verbindung übernimmt ein so genanntes Ball Grid Array auf der Unterseite des Gehäuses. Die kugelförmigen Anschlusskontakte dienen der direkten Oberflächenmontage. Durch die BGA-Technik werden CSP- oft auch als BGA-Gehäuse bezeichnet.
Mit dem BGA-Verfahren lassen sich auf kleinerem Raum wesentlich mehr Anschlüsse zum Chip realisieren. Hersteller wie Kingmax, die überwiegend auf diese Technik setzen, sprechen von bis zu 50 Prozent Raumgewinn. Ein weiterer Vorteil von BGA-Gehäusen sind die kürzeren Signalwege. Im Vergleich zu TSOP reduzieren sie die Wege bis auf ein Viertel. Dies erlaubt höhere Taktfrequenzen und reduziert Rauschen sowie Übersprechen zwischen den Anschlüssen.
Das CSP-Gehäuse findet vor allem bei RDRAM-Speicher Verwendung. Durch die hohen Taktfrequenzen bis 1066 MHz (per DDR) sind möglichst kurze Signalwege sowie geringere Eingangskapazitäten gefordert.
Modultypen
Der Grund für die Organisation der einzelnen Speicherchips auf Modulen ist einfach: Moderne PCs und Rechnersysteme verlangen Arbeitsspeicher, der weder in der Datenbreite noch in der Speicherkapazität mit einem einzelnen Speicherchip zu realisieren ist. Durch das Zusammenfassen mehrerer ICs auf einem Modul kann dieses elektrisch wie ein Speicherchip mit hoher Kapazität und Datenbreite angesprochen werden. Aktuelle DRAM-Chips bieten Datenbreiten von 4, 8 und 16 Bit bei einer maximalen Kapazität von derzeit 512 Mbit (64 MByte). Angesichts von Arbeitsspeichern mit mehreren hundert MByte und Prozessorarchitekturen mit einer Datenbreite von bis zu 64 Bit sind Speichermodule ein logischer Schritt. Die einzelnen ICs auf dem Modul sind so zusammengeschaltet, dass sich die Anzahl der parallelen Speicherfelder nach außen hin aufaddiert. Damit erreicht man neben der Vervielfachung der Datenbreite die Addition der Kapazitäten.
Es ist auch möglich, die Speicherchips ohne zusätzliche Module direkt auf dem Mainboard zusammenzuschalten. Diese Variante boten einige Mainboard-Hersteller an, um Kosten für die teuren Modulsockel zu sparen. Der Nachteil bei dieser Lösung ist aber die verlorene Flexibilität beim Wechseln, Aufrüsten und bei der weiteren Verwendung des Speichers.
Für Speichermodule gibt es ähnliche Organisationsangaben wie bei den DRAM-ICs. Beispiel: Ein 64-MByte-Modul ist mit der Organisation von 16Mx32 angegeben. Der Wert 16M gibt die Größe eines einzelnen Speicherfeldes der auf dem Modul verwendeten ICs an. Die 32 steht dagegen für die Datenbreite des gesamten Moduls. Die Anzahl der Bausteine beziehungsweise die Speicherfeldtiefe der einzelnen ICs ist deren Organisationsangabe zu entnehmen. Im Beispiel sind 16Mx4-DRAMs verbaut. Bei einer Datenbreite von 4 Bit pro IC muss das Modul für die erforderlichen 32 Bit aus insgesamt 8 ICs bestehen.
SIPP
Zu den ersten Vertretern der Speichermodule zählt das SIPP-Format. Die schon lange nicht mehr produzierten Module besitzen 30 Pins, die mechanisch nicht sehr widerstandsfähig sind. Beim häufigen Wechseln brechen dem Modul oft einzelne Pins ab. Als Sockel für SIPPs dienen normale Pinleisten. Eine Führung oder Schnappverschlüsse wie bei SIMMs und modernen DIMMs sind nicht vorhanden.
Mit einer Datenbreite von 8 Bit wurden SIPPs in PCs mit Intel 80286- und 80386SX-Prozessoren eingesetzt. Durch die 16 Bit breiten Speicherzugriffe der CPUs sind SIPPs in diesen Systemen immer paarweise einzusetzen. Die Anzahl der Module, die zum Erreichen der Busbreite erforderlich sind, ergibt eine Speicherbank.
8-Bit-SIMM
Nach den SIPPs setzten sich Module im SIMM-Format durch. SIMMs der ersten Generation entsprechen elektrisch und von der Anzahl der Kontakte her den SIPPs. Statt der mechanisch anfälligen Pinreihe besitzen die SIMMs im unteren Bereich des Moduls jedoch zwei 30-polige Kontaktreihen. Die Kontakte befinden sich an der Vorder- und Hinterseite des Moduls und sind elektrisch identisch - sprich durchkontaktiert. Von den insgesamt 60 Kontakten sind demnach wie bei den SIPPs nur 30 elektrisch relevant. Durch die gleiche Datenbreite wie bei den SIPPs besteht der erhöhte Nutzwert eines SIMMs einzig im problemloseren Handling beim Einstecken und Entfernen aus den Modulsockeln.
Experimentierfreudige Anwender entfernten bei den SIPPs die Pins, um aus dem Modul ein SIMM zu machen. Durch die bei den SIPPs ebenfalls seitlich vorhandenen Kontaktflächen konnten die modifizierten Module oft problemlos in Modulsockel für SIMMs gesteckt werden.
Ihren häufigsten Einsatz fanden die 30-poligen SIMMs in PCs mit 16-Bit-Architektur. Wie bei den SIPPs ist zum Auffüllen einer Bank eine paarweise Bestückung nötig.
32-Bit-SIMM
Bei der Einführung von Prozessoren mit 32 Bit breitem Speicherzugriff (Intel 80386DX und 80486) entstanden die SIMMs der zweiten Generation. Mit einer Datenbreite von 32 Bit ersetzen diese Module vier 8 Bit breite SIMMs. Ihren ersten Einsatz hatten die 32-Bit-SIMMs Anfang der 90er Jahre in den PS/2-Rechnern von IBM. Ein 32-Bit-SIMM bezeichnet man deshalb auch als PS/2-Modul oder PS/2-SIMM. Die 72-poligen Kontaktreihen sind an beiden Seiten des Moduls vorhanden und elektrisch identisch. Bei PCs und Rechnersystemen mit 32 Bit breitem Speicherzugriff genügt ein einzelnes PS/2-Modul zum Auffüllen einer Speicherbank.
Mit dem Schritt zu den 32-Bit-Modulen waren zunehmend nur noch Mainboards mit Steckplätzen für PS/2-SIMMs erhältlich. Um auf diesen Mainboards dennoch alte 8-Bit-SIMMs oder SIPPs verwenden zu können, benutzte man so genannte Modul-Shuttles. Diese Adapter nehmen vier 30-polige Module auf und schalten diese zu einem 72-poligen PS/2-Modul zusammen.
Im Bild sehen Sie einen voll bestückten SIPP-PS/2-Adapter. Die Jumper an der Platinenseite dienen zum Einstellen der Zugriffszeit der verwendeten Module. Problematisch ist der Einsatz dieser Shuttles aber nicht nur wegen der mechanischen Ausmaße und den damit oft verbundenen Platzproblemen beim Einbau. Kritischer ist, dass es durch die längeren Signalleitungen zu Ohmschen und kapazitiven Veränderungen kommt und somit zu Timing-Problemen. Ein stabiler Betrieb ist häufig nicht garantiert.
DIMM für SDRAM
Mit dem Einzug der Pentium-Prozessoren in den PCs wie auch den Macintosh Power-PCs mit ihrem 64 Bit breiten Datenbus dauerte es nicht lange, bis es Speichermodule mit einer Datenbreite von 64 Bit gab. Die neuen Module mit den Namen DIMM haben wie SIMMs auf beiden Seiten der Platine Kontaktflächen, die jedoch elektrisch voneinander getrennt sind. Bei nur geringfügig größeren Modulabmessungen stehen bei DIMMs insgesamt 168 elektrische Anschlüsse zur Verfügung. Die Realisierung der 64 Datenleitungen stellt somit kein Problem dar. Zusätzlich lässt sich die Anzahl der Anschlüsse für Betriebsspannungen und Steuersignale leicht erhöhen. Vorteil: Das Design der Platine ist hinsichtlich seiner elektrischen Eigenschaften und zu Gunsten einer erhöhten Datenintegrität leichter zu optimieren.
DIMM-Platinen sind in den aktuellen Versionen nur noch mit schnellem SDRAM bestückt. Durch die hohen Taktfrequenzen von 133 MHz und mehr gibt es strenge Anforderungen an das Layout des Moduls. Übersprechverhalten zwischen benachbarten Signalleitungen, kapazitive Effekte und Signallaufzeiten stellen nicht zu unterschätzende Problemquellen dar. Strenge Designvorschriften bezüglich Leiterbahnlänge, -breite und -abstand sowie genaue Angaben zur Anzahl von Layern, Abschlusswiderständen und -kapazitäten sind beim Modul-Layout zu berücksichtigen.
DIMMs für SDRAM gibt es als PC66-, PC100- und PC133-Module. Kingmax hat zusätzlich PC150-DIMMs mit 150 MHz Taktfrequenz im Angebot. Diese Module sind aber überwiegend für Overclocker gedacht und obliegen keinem Standard.
SO-DIMM für SDRAM
Ein miniaturisierter Ableger der SDRAM-DIMMs sind die so genannten SO-DIMMs. Die Small-Outline-Module gibt es als 72-polige Ausführung mit einer Datenbreite von 32 Bit und 144-polig mit 64 Datenpins. Die zwei Ausführungen haben die Kontaktflächen auf beiden Seiten des Moduls, die elektrisch voneinander isoliert sind wie bei normalen DIMMs.
Die Abmessungen der Module, 68 x 32 mm beim 64-Bit-SO-DIMM, prädestinieren sie für den Einsatz in mobilen Geräten. So ist der überwiegende Anteil aktueller Notebooks mit diesem Speichertyp ausgerüstet.
DIMM für DDR-SDRAM
Mit der Einführung von DDR-SDRAM als weiterem Speicherstandard wurden neue Modulplatinen notwendig. Zwar verwendet DDR-SDRAM auch DIMM-Platinen mit den gleichen Abmessungen wie bei SDRAM, die Pinanzahl hat sich jedoch von 168 auf 184 erhöht. Die neuen Anschlüsse sind für zusätzliche Steuersignale erforderlich. Die Referenz-Designs und Spezifikationen für DDR-SDRAM-Module stehen bei AMI und der JEDEC frei zur Verfügung.
DDR-SDRAM gibt es in den Versionen PC200, PC266, PC333 und PC400. Die Zahlen weisen auf die Taktfrequenz (per DDR) des Speichers hin. Für die Module wurden jedoch neue Bezeichnungen eingeführt, die deren Bandbreite widergeben. Ein DIMM mit PC333-DDR-SDRAM-Chips hat den Namen PC2700. Die Zahl spiegelt die maximale Bandbreite von 2700 MByte/s (1000er Basis) des 64 Bit breiten Moduls wider. Die Tabelle enthält einen Überblick über aktuelle DIMMs für DDR-SDRAM.
DDR-SDRAM | Modulbezeichnung |
|---|---|
| |
PC200 | PC1600 |
PC266 | PC2100 |
PC333 | PC2700 |
PC400 | PC3200 |
Die 184-poligen DDR-DIMMs haben im Gegensatz zu den 168-poligen Varianten für SDRAM nur ein Kerbe in der Kontaktleiste. Ein unbeabsichtigtes Einbauen der ansonsten gleich großen SDRAM-DIMMs in Mainboards für DDR-SDRAM wird damit verhindert.
Einen Performance-Vergleich von DDR-SDRAM mit Taktfrequenzen bis 400 MHz finden Sie in diesem Artikel.
SO-DIMM für DDR-SDRAM
Für DDR-SDRAM gibt es eine spezielle Notebook-Modulvariante. Die als SO-DIMMs bezeichneten Module bieten eine Datenbreite von 64 Bit und nutzen 200 Pins. Die Kontaktflächen befinden sich auf beiden Seiten des SO-DIMMs.
SO-DIMMs für DDR-SDRAM haben mit 68 mm die gleiche Breite wie die 144-polige Variante für SDRAM. Die Modulhöhe ist mit 32 mm ebenfalls unverändert. Um den Einbau eines 200-poligen SO-DIMMs in einen Sockel für 144-polige Module und umgekehrt zu verhindern, sind die Modulkerben der beiden Varianten an unterschiedlichen Stellen platziert. Während die Kerbe bei den SO-DIMMs für SDRAM (144-polig) nahe an der Modulmitte sitzt, befindet sie sich bei der DDR-Variante (200-polig) näher an der Außenseite der Platine.
16-Bit-RIMM
Die Busarchitektur der Rambus-Technologie erfordert durch ihre elektrischen Eigenheiten eine andere Modulbauform. Von der Größe und den beidseitigen Kontaktreihen her ist das RIMM zwar auf den ersten Blick einem DIMM sehr ähnlich, es unterscheidet sich aber in elektrischer Hinsicht erheblich. Die Rambus-Technologie ist auf eine Busbreite von nur 16 Bit ausgelegt. Wie bei DIMMs für DDR-SDRAM beträgt die Anzahl der Pins 184.
Der Grund für die vielen Pins bei der geringen Busbreite ist die Frequenz von bis zu 1066 MHz (per DDR), mit der die RDRAMs getaktet werden. Um diese hohe Taktfrequenz zu realisieren, verläuft zu jeder Signal- und Datenleitung abwechselnd eine eigene Masseleitung. Auf die Adress-, Steuer-, Takt- und 16 Datenleitungen (18 mit ECC) kommen insgesamt 72 Masseleitungen, die nur die Signalintegrität sicherstellen. Sie sollen kapazitive Effekte, Reflexionen, Übersprechverhalten, Störsignale und Rauscheffekte gering halten.
RIMMs eignen sich ausschließlich für den Betrieb von RDRAM. Die Module sind wie DIMMs für DDR-SDRAM für Betriebsspannungen von 2,5 V ausgelegt.
Performance-Tests von RDRAM-Speicher mit 800 (PC800) und 1066 MHz (PC1066) finden Sie im folgenden Artikel.
C-RIMM
Durch die Bustopologie von RDRAM-Systemen sind unbelegte Sockel mit einer Dummy-Platine namens C-RIMM zu bestücken. Die Continuity-RIMMs schleifen die Steuer- und Datenleitungen des 16 Bit breiten RDRAM-Channels einfach durch. Zusätzliche elektrische Funktionen sind auf den C-RIMMs nicht integriert.
32-Bit-RIMM
Seit Mitte 2002 gibt es RDRAM-Speichermodule mit einer Datenbreite von 32 Bit. Die als RIMM 3200 und RIMM 4200 bezeichneten Module vereinen zwei herkömmliche RDRAM-Kanäle auf einer Platine. Die Zahl im Modulnamen kennzeichnet die Bandbreite des Speichers von 3200 beziehungsweise 4200 MByte/s (1000er Basis).
Statt der üblichen 184 Pins der 16 Bit breiten Standard-RIMMs benötigt das RIMM 3200/4200 eine Modulplatine mit 232 Pins. Die physikalischen Ausmaße ändern sich durch die erhöhte Pinzahl nicht. Der bislang in der Modulmitte von Pins unbelegte Platinenbereich wird beim RIMM 3200/4200 genutzt. Dadurch bleiben auch der Pinabstand sowie die Kontaktflächen identisch.
Um ein Verwechseln mit 16-Bit-RIMMs beziehungsweise den Einbau eines falschen Moduls zu vermeiden, haben 32-Bit-RIMMs nur eine Modulkerbe in der Kontaktseite statt zwei. Ein weiteres Unterscheidungsmerkmal ist bei 32-Bit-RIMMs die auf die Modulplatine gewanderte Channel-Terminierung. Die Abschlusswiderstände sind durch Kühlbleche auf dem Modul aber meist nicht zu sehen.
Einen Test von RIMM-4200-Speicher im Vergleich zu anderen Speichertechnologien finden Sie hier.
CT-RIMM
Bei Mainboards mit 32-Bit-RIMMs müssen wie bei der 16-Bit-Variante leere Speichersockel belegt werden. Die Rambus-Topologie fordert auch beim RIMM 3200/4200 einen abgeschlossenen Bus.
Da die Terminierung des Busses auf den Modulen sitzt und sich die Pinzahl sowie die Modulkerbe geändert haben, verlangen Mainboards mit 32-Bit-RIMMs nach eigenen C-RIMMs. Die Dummy-Platinen besitzen durch die eingebaute Terminierung nun die Bezeichnung CT-RIMM.
Details sowie Benchmarks der 32-Bit-RIMMs können Sie hier nachlesen.
SO-RIMM
Für Netzwerk- und Kommunikationsprodukte gibt es eine miniaturisierte Variante von RIMM-Modulen. Die SO-RIMMs nutzen 800-MHz-RDRAMs und haben eine Datenbreite von 16 Bit. Hersteller wie Elpida wollen SO-RIMMs ab Juli 2002 in Stückzahlen ausliefern. Varianten mit 1066-MHz-RDRAMs sind für das erste Halbjahr 2003 geplant.
SO-RIMMs gleichen in ihren Abmessungen den SO-DIMMs für SDRAM und DDR-SDRAM. Die Abmessungen der kleinen RIMMs betragen 68 x 32 mm. Die Kontaktflächen mit insgesamt 160 Pins befinden sich auf beiden Modulseiten.
Fazit
Speicherkauf ist längst nicht mehr eine sichere Investition auf Jahre. Zu kurz sind die Produktzyklen von Chipsätzen und Mainboards. Und oft geht eine neue Chipsatzgeneration mit der Einführung eines neuen Speichertypus einher. DDR II wird Ende 2003 der nächste Schritt sein.
Übersichtlicher wird das Angebot an Speichermodulen dadurch nicht: PC133, PC333, PC800, RIMM 4200, DIMM, SO-DIMM und RIMM - um nur einige aktuelle zu nennen, die teilweise auch noch in verschiedenen Bitbreiten erhältlich sind. Wer sich ein Speichermodul kauft oder bei einem Versender bestellt, sollte sich vorher nach der genauen Bezeichnung erkundigen. So zeichnen beispielsweise manche Direktversender die neuen RIMM 4200 nur als RIMM 32 Bit aus. Kenntnisse über die Module bewahren hier vor Fehlkäufen. (cvi)
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