Infineon stellt DRAM-Prozess mit 70 nm vor

Deep-Trench: Bei der Technologie reicht das Verhältnis zwischen Tiefe und Breite bis zu 70:1. Dadurch sind auch bei kleinen Strukturen große Speicherkapazitäten möglich. Quelle: Infineon

Deep-Trench: Bei der Technologie reicht das Verhältnis zwischen Tiefe und Breite bis zu 70:1. Dadurch sind auch bei kleinen Strukturen große Speicherkapazitäten möglich. Quelle: Infineon

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