SOI: AMDs riskanter Weg in die Zukunft

Wichtige Entwicklungsstufen

Zahlreiche beachtliche Neuerungen machten das exponentielle Wachstum der Transistorenanzahl in der noch kurzen Daseinsspanne der Mikroprozessoren möglich. Hier einige der wichtigsten Beiträge seit 1965:

  • die Bipolarschaltung

  • Metalloxidhalbleiter (MOS-Halbleiter), gefolgt von MOS mit komplementären Ausgängen (CMOS)

  • Plasma-Etching

  • Ionen-Implantation oder Dotierung; optische und ultraviolette Projektionslithografie und ihre stufenweise Ausweitung auf noch kürzere Wellenlängen

  • planare mehrschichtige Metallverdrahtungen auf dem Die

  • Kupferverdrahtung auf dem Die

Das jüngste Beispiel in dieser Folge technischer Revolutionen ist die Silicon-on-Insulator-, kurz SOI-Technologie. Einige Hersteller äußern sich immer noch skeptisch über das Potenzial von SOI, die Performance integrierter Schaltungen zu verbessern oder deren Leistungsaufnahme zu verringern. Daher soll hier als anschauliches Beispiel dafür, wie Fortschritte in der Halbleitertechnologie vonstatten gehen, eine einst ebenfalls stark angezweifelte Technologie dienen, die heute Standard ist: die Kupfertechnologie.