Schnellere Prozessoren mit SOI-Technologie

Weitere SOI-Verfahren

Beim Bonding-Wafer-Verfahren werden zwei oberflächenoxidierte Wafer durch einen klebstoff-freien Prozess miteinander verbunden. Dann wird eine Seite bis zur gewünschten Dicke der aktiven Schicht abgeschliffen. Dadurch kostet ein Bonded-SOI-Wafer mindestens doppelt so viel wie ein herkömmlicher polierter Siliziumwafer.

Ein ziemlich neues Verfahren, das Smart-Cut-Verfahren, verwendet ebenfalls zwei oberflächenoxidierte Startwafer. Davon kann jedoch einer nach Auftrennen einer H+-Implantation weiter verwendet werden. Dieses Verfahren erfordert vergleichsweise geringe Investitionen bei relativ geringen variablen Kosten. Deswegen hat es sehr gute Aussichten auf einen kommerziellen Einsatz. Allerdings sind die anderen Verfahren seit vielen Jahren sehr viel gründlicher erforscht.