Schnellere Prozessoren mit SOI-Technologie

SOI-Herstellung mit SIMOX

Die Herstellung des vergrabenen Isolators erfolgt meist in einem getrennten Arbeitsschritt vor dem Beginn der jeweiligen Prozesstechnologie. Für die Herstellung von solchen SOI-Wafern aus herkömmlichen polierten Siliziumwafern stehen verschiedene Verfahren zur Verfügung. Von Bedeutung sind das SIMOX-, das Bonding-Wafer- und das Smart-Cut-Verfahren.

SIMOX-Verfahren: Beim Separation-by-Implantation-of-Oxygen-Verfahren werden Sauerstoff-Ionen in sehr hoher Dosis in einen Siliziumwafer geschossen.
SIMOX-Verfahren: Beim Separation-by-Implantation-of-Oxygen-Verfahren werden Sauerstoff-Ionen in sehr hoher Dosis in einen Siliziumwafer geschossen.

Beim Separation-by-Implantation-of-Oxygen-(SIMOX)-Verfahren werden Sauerstoff-Ionen in einer sehr hohen Dosis tief in einen Siliziumwafer geschossen. Beim anschließenden Erhitzen auf etwa 1350°C bildet sich eine geschlossene Schicht Siliziumdioxid in der Tiefe. Nachteilig beim SIMOX-Verfahren sind die relativ hohen Investitionskosten für die Hochstrom-Implanter und die erforderlichen leistungsfähigen Öfen.