Scharfe Sache: Maskentechnologie

65-nm-Strukturen mit 192-nm-Lithografie

Im November 2003 veröffentlichte Intel erste Details zum 65-nm-Prozess, der ab 2005 zum Einsatz kommen soll. Durch eine dreidimensionale Maske mit gezielt geätzten Strukturen können Intels Masken-Entwickler jetzt auch die Phasenlage des Lichts ausnutzen, um noch kleinere Strukturen abzubilden. Dadurch gelingt es, mit den bestehenden 193-nm-Lithografie-Tools Chips mit 65-nm-Strukturen herzustellen.

Intel präsentierte auch gleich einen funktionsfähigen 4-Mbit-SRAM-Chip, der aus Transistoren mit einer Strukturgröße von 65 nm aufgebaut war. Die für die Geschwindigkeit der Schaltungen entscheidende Gate-Länge liegt sogar nur bei 35 nm.