Samsung: Kompakte 8-GByte-DRAMs für Server

Samsung Electronics hat 8-GByte-DDR-DRAM-Module angekündigt, die aus zweiundsiebzig monolithischen 1-GBit-Bausteinen bestehen. Durch den Einsatz einer 0,1µm-Prozesstechnologie sollen die neue Module die Höhenbegrenzung des JEDEC-Standards von 1,2 Zoll erfüllen.

Die Speichermodule sind laut Hersteller für den Einsatz in Highend-Servern und Workstations konzipiert. Die Speicherriegel sind in zwei Varianten der so genannten Package-Stacking-Technologie erhältlich. Zum einen als Zweifachstapel mit 1-Gbit-DDR-DRAMs im Thin-Small-Outline-Package (TSOP) oder als Vierfachstapel von 1-Gbit-DDR-DRAMs im Finepitch-Ball-Grid-Array-(FBGA)-Gehäuse, auch bekannt als Multi-Stack-Package (MSP).

Beim TSOP-Gehäuse sind sechsunddreißig zweifach gestapelte TSOPs in zwei parallelen Neunerreihen auf jeder Platinenseite platziert. Bei den FBGA-Gehäusen besteht das Speichermodul aus achtzehn vierfach gestapelten FBGAs in zwei Neunerreihen mit je einer Reihe auf jeder Platinenseite.

Samsung hat bereits mit der Bemusterung der 8-GByte-DDR-DRAM-Module für führende Server-Hersteller begonnen. Details zu Preisen und Verfügbarkeit sind noch nicht bekannt. (fkh)

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