Samsung investiert massiv in Flash-Speicher und DRAM
Samsung Electronics hat in Tokio eine millionenschwere Investition in sein Speichergeschäft angekündigt. Insgesamt 617 Millionen US-Dollar sollen in den Ausbau der Fertigungsstätten fließen.
Das Unternehmen plant im Einzelnen einen Ausbau der Fertigung von 2-Gbit-Flash-Speicherchips, später soll eine Produktionslinie für 4-Gbit-Chips folgen. Bei der DRAM-Fertigung dient die Investition bereits der Umstellung mehrerer Produktionsstätten vom derzeit aktuellen 90-Nanometer-Prozess auf 80 Nanometer. Samsung zählt sowohl bei Flash-Speichern als auch bei DRAMs zu den weltgrößten Herstellern. Zusätzliche Informationen zum Thema entnehmen Sie dem Artikel Arbeitsspeicher: Die neuen Standards im Überblick. (uba)