Samsung entwickelt GDDR3 mit 512 Mbit

Samsung hat GDDR3-Speicherbausteine mit 512 Mbit entwickelt. Die Bausteine bieten laut Samsung die doppelte Speicherdichte im Vergleich zu allen auf dem Markt befindlichen Grafikspeichern.

Der Hersteller hat bereits mit der Auslieferung der Chips begonnen. Allerdings in eingeschränkten Stückzahlen. Anfang 2005 soll die Massenproduktion beginnen. Samsung hatte im November 2003 mit der Produktion von 256-Mbit-Chips begonnen. Mit der Verdoppelung der Dichte dürften auf Grafikkarten bald 512 MByte Grafikspeicher zu finden sein. NVIDIA hat zumindest seine Treiber bereits auf diesen Speicherzuwachs eingerichtet. Bislang sind 256 MByte GDDR3-Speicher das Maximum auf Grafikkarten von ATI und NVIDIA.

Samsung sieht seine neue Entwicklung auch bei Spielekonsolen im Einsatz. Sowohl von Sony als auch von Microsoft werden in den nächsten Jahren neue Versionen der PlayStation 2 und der Xbox erwartet. Sony hat sich für NVIDIA als Partner für die Entwicklung der nächsten PlayStation entschieden, wir berichteten. (uba)

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