Samsung entwickelt 70-Nanometer-DRAMs

Der Hersteller beansprucht für sich als erster in der Branche die "CVD-Aluminium-Prozesstechnologie" einzusetzen. Das Dampfabscheidungsverfahren soll zukunftweisend sein, was die "Verdrahtung" im DRAM-Fertigungsprozess betrifft. Mittels CVD werden laut Samsung leitfähige Schichten erstellt, indem das metallorganische Ausgangsmaterial über chemische Reaktionen in Partikel umgewandelt wird. Die Partikel werden dann auf die Wafer-Oberfläche abgeschieden und bilden die Mehrlagenverdrahtung in Schaltkreisen.

Bisherige Verfahren zur Verdrahtung in DRAM-Schaltkreisen verwenden laut Samsung die physikalische Dampfabscheidung PVD (Physical Vapor Deposition). Dabei werden dünne Schichten gebildet, indem festes Material in Partikel umgewandelt wird. Das PVD-Verfahren habe allerdings seine Grenzen bei Strukturen von 90-Nanometern oder kleiner. Das Problem sind physikalische Hohlräume, die beim Porzess entstehen und eine gleichmäßige Ablagerung auf der Wafer-Oberfläche verhindern.

Die CVD-Aluminium-Prozesstechnologie soll zudem bessere Leitungseigenschaften mit bringen und die Kosten, was den Verdrahtungsprozess betrifft, um bis zu 20 Prozent senken, teilte Samsung mit. (uba)