Samsung baut Werk für DDR- und DRDRAM

Samsungs neue Speicherfabrik in Korea soll schon im nächsten Jahr den Betrieb aufnehmen. Vorerst sind Speicherchips in 0,15 Mikron Strukturbreite geplant, 2001 sollen 0,10 Mikron erreicht werden.

Diese Woche erfolgte der erste Spatenstich, im dritten Quartal 2000 soll Samsungs neues Werk den Regelbetrieb aufnehmen. Die Halbleiterfabrik namens "Line 10" wird in der koreanischen Provinz Kyongi auf einer Fläche von einer Million Quadratmeter gebaut.

Neben klassischen DRAMs sollen DDR -Speicher und Rambus -Chips mit 128 MBit und 256 MBit Kapazität hergestellt werden. Zu Beginn sollen 16.000 Acht-Zoll-Wafer pro Woche hergestellt werden, im ersten Quartal 2001 erwartet Samsung schon die doppelte Anzahl an Siliziumscheiben aus dem neuen Werk.

Bei steigendem Ausstoß sollen außerdem die Strukturbreiten weiter verkleinert werden. Line 10 soll anfangs mit 0,15 Mikron arbeiten, dann bald zu 0,12 Mikron übergehen und 2001 die 0,10 Mikron erreichen. Zum Vergleich: Alle Mainstream-CPUs werden im nächsten Jahr mit 0,18 Mikron gefertigt. Bis 2001 will Samung 1,8 Milliarden Dollar in das Werk investieren.

Mit der neuen Fabrik reagiert der umsatzstärkste DRAM-Hersteller auf die anhaltende Knappheit von Speicherchips. Schon kurzfristige Produktionsausfälle wirken sich massiv aus: Im September 1999 hatte sich der Preis für DRAMs nach einem Erdbeben in Taiwan verdoppelt. Derartige Schwankungen bereiten der auf stets fallende Preise fixierten Computerindustrie erhebliche Probleme. Es steht zu befürchten, dass auch der Ausstoß von Line 10 vom stets wachsenden Markt schlicht aufgesogen wird. (nie)