Samsung: 8-GBit-NAND-Chip in 60 Nanometer

Samsung kann mit der 60-Nanometer-Fertigung etwa 30 Prozent kleinere Speicherzellen produzieren als mit der 70-Nanometer-Fertigung für die 4-GBit-Ausgaben. Nach Angaben des Herstellers sollen die Chips zu Speicherkarten gebündelt werden, die bis zu 16 GByte Kapazität aufweisen. Die Speicherzellen sind in einer dreidimensionalen Transistorenstruktur aufgebaut.

Ein High-K-Dielektrikum am Transistor-Gate soll Leckströme verringern. High-K steht dabei für "High Dieletric Constant", deren Wert in "K" angegeben wird. Herkömmliches Silizium-Dioxid hat einen K-Wert von 3,9. High-K-Materialien liegen über diesem Wert.

Auf die Serienreife der 8-GBit-Bausteine muss man allerdings noch warten. Samsung will im ersten Quartal 2005 die Massenfertigung von 4-GBit-Nand-Speicher in 70 Nanometer beginnen. (uba)