NEC und Hitachi wollen Intel für DRAM-Fab

Details wie die Höhe des Investments waren noch nicht zu erfahren. Die Firmen hoffen jedoch, bis Ende des laufenden Geschäftsjahres (Ende März 2003) zu einer Lösung gekommen zu sein. Trotz einer Summe von 367 Millionen US-Dollar, die NEC und Hitachi im letzten November in die neue Fab für 300-mm-Wafer (12 Inch) in Hiroshima investiert haben, konnte der Finanzplan bis dato nicht eingehalten werden. Da Elpida noch in diesem Monat in der neuen Herstellungsanlage mit der Massenproduktion beginnen will, sei man dringend auf neues Kapital angewiesen. Insgesamt will Elpida über 3000 12-Inch-Wafer pro Monat produzieren.

In der Vergangenheit hatte Intel bereits zur Herstellung von Rambus-Speicher in Samsung Electronics investiert. Dies aber nur, um ausreichend halbwegs preiswerte Rambus-Module zum Launch des Pentium 4 am Markt zu haben. Denn zur Markteinführung gab es lediglich Rambus-Chipsätze für den Pentium 4. (ssp/fkh)