Kommunikation im 60-Gigahertz-Bereich als Ziel

Nano-Transistor erhöht Energieeffizienz um Faktor 50

Forscher der schwedischen Lund University haben mithilfe von Nanotechnologie und dem Werkstoff Indiumarsenid eine Transistor-Art entwickelt, die eine 50-mal höhere Energieeffizienz als heute übliche Modelle hat. "Das kann den Weg für Kommunikation in Frequenzbereichen ebnen, die für heutige Technologien zu hoch sind", beschreibt Lars-Erik Wernersson, Festkörperphysiker an der Lund University.

Neben dem geringen Energieverbrauch sei eine weitere Besonderheit der Entwicklung, dass die Transistoren nicht durch Herausarbeiten aus größeren Stücken entstanden sind. "Diese Art von Transistor sollte den Energieverbrauch in Mobilgeräten reduzieren können, damit sie nicht so oft aufgeladen werden müssen", beschreibt Wernersson einen Vorteil. Der Schlüssel zur höheren Energieeffizienz ist das Material. Bei Silizium kommt es bei fortschreitender Miniaturisierung von Transistoren zu einer immer größeren Hitzeentwicklung beim Elektronentransport. "Indiumarsenid als Material hat bessere Transporteigenschaften", erklärt Wernersson gegenüber pressetext. Eigentlich sei die Fertigung von Transistoren aus Indiumarsenid schwierig, doch werde sie durch Nanotechnologie relativ einfach.

Der Transistor ist nanotechnologisch gebaut worden, betonen die Forscher. Das Material sei selbstorganisierend nach einem Bottom-Up-Prinzip statt wie bei anderen Ansätzen üblich aus einem größeren Stück herausgearbeitet, so Wernersson. Tatsächlich wurde etwa der winzige Graphen-Transistor in Manchester (pressetext berichtete) durch ein solches Herausarbeiten gefertigt.