Unternehmen beginnen 2012 mit 450-mm-Wafer-Produktion

Intel, Samsung und TSMC starten gemeinsame 450-mm-Wafer-Fertigung

Intel, Samsung Electronics und TSMC haben sich darauf geeinigt, gemeinsam den Wechsel hin zu größeren 450-mm-Wafern zu beginnen. Die Zusammenarbeit der Unternehmen soll im Jahr 2012 starten.

Intel, Samsung und TSMC versprechen sich von der Allianz, dass die komplette Halbleiterindustrie davon profitiert, wenn man sich auf die Einhaltung allgemein geltender Standards sowie einen gemeinsamen Zeitplan verständigt. Darüber hinaus ergeben sich für die Unternehmen ein reduzierter Aufwand für Forschung und Entwicklung im Bereich 450 mm, eine Rationalisierung des Wechsels von der 300-mm-Infrastruktur sowie ein optimierter Return on Investment. Zusätzlich können Risiken und Übergangskosten minimiert werden. Die Zusammenarbeit mit International Sematech (ISMI) wird dabei fortgesetzt.

In der Vergangenheit hat die Herstellung mit größeren Wafern stets dazu beigetragen, Halbleiter günstiger zu produzieren. Die gesamte Siliziumoberfläche eines 450-mm-Wafers und die Anzahl der gestanzten Dies (beispielsweise einzelner Prozessoren) sind mehr als doppelt so hoch wie bei einem 300-mm-Wafer. Somit lassen sich mit einem größeren Wafer die Produktionskosten pro Chip erheblich senken. Zusätzlich reduziert sich der Ressourcenverbrauch pro Chip.

Bislang fand die Migration auf die nächstgrößeren Wafer stets im Zehnjahresrhythmus statt. So begann der Übergang zu 300-mm-Wafern im Jahr 2001, die 200-mm-Wafer wurden 1991 eingeführt. Vor diesem Hintergrund haben sich Intel, Samsung und TSMC für den Wechsel zu 450-mm-Wafern auf 2012 verständigt. (hal)