Infineon: Weltweit kleinste 1-Gbit-DDR-SDRAMs

Der Hersteller fertigt die Speicherchips im 110-Nanometer-CMOS-Prozess und bietet sie wahlweise in einem 66-poligen TSOP (Thin Small Outline Package) und einem 68-poligen FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array) an. Die Bausteine sind laut Infineon x4, x8 oder x16 organisiert. Die DDR-Geschwindigkeit reicht von DDR266 bis hin zu DDR400, wobei der Speichertakt bei 133 MHz bis hin zu 200 MHz liegt.

Infineon verwendet eine Stack-Version des FBGA-Gehäuses für das Registered-DIMM von 4 GByte, um die höchstmögliche Speicherdichte pro Modul zu erzielen. Bei der "Dual Die Stack" genannten Technologie befinden sich zwei DRAM-Chips übereinander im selben Gehäuse, dass dadurch geringfügig dicker ist als ein normales FBGA. Zudem weist ein "Dual-Die-Stack"-Gehäuse laut Infineon verbesserte elektrische und thermische Kennwerte auf.

Das neue 1-Gbit-DDR-SDRAM wird hauptsächlich für die Herstellung von DRAM-Modulen für den Markt der High-End-Server und -Workstations verwendet. Infineon will die Bausteine im Verlauf des vierten Quartals 2003 bemustern und Anfang 2004 im Dresdner Halbleiterwerk mit der Massenproduktion beginnen. (Jürgen Mauerer)