Infineon und Canon entwickeln 0,07-Mikron-Chip
Die Forscher benutzen für die Herstellung ein spezielles Lithografie-Verfahren, um die Strukturbreite von 0,07 Mikron zu realisieren. Als Lichtquelle dient dabei ein Fluor-Laser mit einer Wellenlänge von lediglich 157 Nanometer (nm). Bisherige Krypton-Fluorid- (248 nm) und Argon-Fluorid-Laser (193 nm) sind laut Infineon nicht für die Produktion von Chips unter 90 Nanometer geeignet.
In den letzten Tagen häufen sich die Meldungen über neue Chiptechnologien. Wie berichtet, hat Intel eigenen Angaben zufolge mit 0,02 Mikron Gate-Länge den kleinsten und schnellsten Transistor aller Zeiten entwickelt. Die neuen Transistoren soll 2007 serienreif sein und Prozessoren mit Taktraten bis zu 20 GHz ermöglichen. Auch IBM hat eine Technologie namens "Strained Silicon" vorgestellt, welche die Geschwindigkeit von Mikrochips um 35 Prozent erhöhen soll.
Neben den tatsächlichen technologischen Durchbrüchen versuchen die Halbleiter-Hersteller mit ihren verstärkten PR-Aktivitäten wohl auch, den Abwärtstrend ihrer Aktienkurse umzukehren.
Näheres zu anderen Methoden der Chipfertigung finden Sie in den Reports Schnellere Prozessoren mit SOI-Technologie, Kupfer in der Halbleiterfertigung sowie Moderne Halbleitertechnologien und Athlons made in Germany. (jma)