Infineon / Nanya besiegeln DRAM-Abkommen

Die Kooperation zwischen dem Halbleiterhersteller Infineon und dem taiwanesischen Nanya-Konzern im verlustreichen Speicherchip-Geschäft ist unter Dach und Fach.

Die endgültigen Verträge seien unterzeichnet worden, teilten die Unternehmen am Mittwoch in einer gemeinsamen Erklärung in München mit. Der Vertrag sieht vor, die 0,09-µm- und 0,07-µm-Fertigungstechnologien für 300-mm-Wafer gemeinsam zu entwickeln.

Im Rahmen des Abkommens haben die Unternehmen zudem ein 50:50-Joint Venture für die Fertigung von DRAM -Chips gegründet und bauen ein neues gemeinsames 300-mm-Werk in Taiwan. Dort soll die gemeinsam entwickelte Fertigungstechnik eingesetzt werden. Die Produktion soll im Endausbau monatlich bis zu 50.000 Waferstarts betragen. Die ersten 300-mm-Wafer will man Ende 2003 fertigen. (uba)