Infineon-Module mit 1-GByte-DDR-SDRAM

Infineon hat erste Muster von DDR-SDRAM-Modulen mit 1 GByte Kapazität hergestellt. Damit zählt Infineon sich zu den ersten Anbietern der höchsten heute verfügbaren Kapazität im Speicherbereich.

Die DDR-SDRAM-Module sind laut Infineon im Schema 128 MBit x 2 organisiert und werden mit 36 DRAM-Bausteinen von jeweils 256 MBit in Stacking-Technologie aufgebaut. "Mit unserer fortschrittlichen 0,17-Mikron-DRAM-Technologie sind wir als einer der ersten Halbleiterhersteller in der Lage, ein 1-GByte-Modul für DDR-Anwendungen herzustellen," sagte Peter Schaefer, Vice President Memory Products von Infineon.

Schaefer will der Ankündigung Taten folgen lassen: "Auf der Platform Conference in San Jose am 23. und 24. Januar werden wir ein Double-Data-Rate-System mit zwei 1-GByte-Modulen vorführen, das auf dem Athlon-Prozessor von AMD beruht." Muster der 1-GByte-DDR-DIMMs sollen im zweiten Quartal 2001 auf breiter Basis verfügbar sein. Die ersten Muster eines GByte-Moduls mit DDR-Speicher konnte NEC bereits auf dem VIA Technology Forum zeigen - allerdings nicht in laufenden Systemen.

Außerdem teilte Infineon mit, dass 256-MByte-DDR-SDRAM-Module für den Einsatz mit dem AMD-760-Chipsatz freigegeben und auf der Validierungs-Webseite von AMD gelistet sind. Stückzahlen der 256-MByte-Module (PC200- und PC266-Version) sowie von 512-MByte-Modulen (jeweils als Register-Version und unbuffered) sollen zur Verfügung stehen.

Ausführliche Informationen zur Speichertechnik bekommen Sie hier. Was hinter DDR-SDRAM steckt, lesen Sie im Report DDR-SDRAM: Rambus-Killer? und im Test: DDR-SDRAM schlägt Rambus. Wie sich der neue DDR-Chipsatz 760 von AMD geschlagen hat, erfahren Sie hier. (uba)