Infineon / Micron: CellularRAM für UMTS-Handys

Infineon und Micron entwickeln gemeinsam Spezifikationen für die neue Speicherfamilie CellularRAM. CellularRAMs entsprechen Pseudo-Static-RAMs (PSRAM) mit geringer Leistungsaufnahme, die für den Bereich Mobilfunk gedacht sind.

Beide Unternehmen arbeiten nach eigenen Angaben zwar bei der Spezifikation zusammen, wollen die Chips aber unabhängig voneinander auf den Markt bringen. CellularRAM ist laut den Herstellern anschlusskompatibel zu SRAM und erlaubt den Betrieb ohne Refresh bei damit geringerer Leistungsaufnahme.

Infineon und Micron sehen darin ideale Voraussetzungen für den Einsatz in künftigen Mobiltelefonen, die einen erhöhten Speicherbedarf mit sich bringen. Derzeit seien in Handys vornehmlich asynchrone SRAMs im Einsatz, die durch CellularRAM abgelöst werden könnten.

CellularRAM basiere auf einer DRAM-Speicherzelle mit einem Transistor im Gegensatz zu der sonst üblichen SRAM-Zelle mit sechs Transistoren. Damit profitiere das CellularRAM von den Technologie- und Prozess-Vorteilen der DRAM-Speicher, teilte Infineon mit. Die Speicherzelle mit DRAM-Architektur benötige nur ein Zehntel der Fläche einer entsprechenden SRAM-Zelle. Die so reduzierte Chipfläche bietet für zukünftige Mobilapplikationen eine deutlich größere Speicherkapazität bei günstigeren Kosten.

Als zusätzliche Vorteile nennen Infineon und Micron einen Burst-Schreib/Lese-Modus, der ein Flash-Interface nachbilde. Die neuen Speicher arbeiten mit bis zu 108 MHz bei einer Latenzzeit von 60 ns und einer Bandbreite von bis zu 210 MByte/s.

Beide Unternehmen wollen in den nächsten 12 Monaten mit Chips auf den Markt kommen. Erster Baustein der CellularRAM-Familie soll ein 32-MBit-Speicher (2x16) sein (Ende 2002). Konfigurationen mit 16- und 64-MBit- sollen in der ersten Hälfte des Jahres 2003 folgen. CellularRAMs arbeiten laut den Herstellern bei 1,8 Volt und unterstützen 2,5-Volt- und 3,0-Volt-I/Os. (uba)