Infineon kooperiert mit Nanya bei DRAMs

Infineon Technologies und Nanya Technology (Taiwan) haben ein Memorandum of Understanding über eine Zusammenarbeit bei DRAM-Chips unterzeichnet. Die beiden Hersteller wollen ein Jointventure gründen und eine Fabrik bauen.

Im Rahmen des Abkommens entwickeln die Halbleiterhersteller ab Oktober 2002 gemeinsam 0,09 und 0,07 Mikron-Fertigungstechnologien für 300-Millimeter-Wafer. Als Entwicklungsstandort ist das Infineon-Werk in Dresden vorgesehen. Die Kosten dafür werden geteilt.

Die Unternehmen haben zudem vereinbart, ein Jointventure für die Fertigung von DRAM-Chips zu gründen und ein neues gemeinsames 300-Millimeter-Werk in Taiwan zu bauen. In der ersten Ausbaustufe soll die Fertigung im zweiten Halbjahr 2004 eine Kapazität von monatlich rund 20.000 Wafern erzielen, wobei die Produktion der ersten 300-Millimeter-Wafer bereits Ende 2003 vorgesehen ist. Sitz des Jointventures wird Taoyuen in Taiwan sein. Nanya hat dort bereits ein Werk. Die Transaktion bedarf laut Infineon noch der Zustimmung durch die Kartellbehörden.

Infineon hatte zuvor erfolglos mit Hynix und Toshiba über eine Kooperation im Speichergeschäft verhandelt. Meldungen dazu lesen Sie in der tecHistory. (uba)