Infineon entwickelt SiGe-Chip mit 110 GHz
Die Münchener Halbleiterschmiede hat eine neue Bestleistung beim Betrieb von Elektronikbausteinen aufgestellt. Dem Unternehmen ist es im Münchner Forschungslabor gelungen, einen Silizium-Germanium-Chip (SiGe) mit 110 GHz zu betreiben.
Bis dato waren derartige Geschwindigkeiten nur mit Chips aus Galliumarsenid möglich, die Forscher bei Infineon verwendeten bei ihrem Rekord-Baustein hingegen mit Germanium angereichertes Silizium. Damit können Schaltzeiten von 3,7 Picosekunden erreicht werden, berichtet Computerpartner.
Die Einsatzmöglichkeiten für diese neuartigen Elektronikbauteile sieht der Hersteller vor allem im Bereich Kommunikationstechnik. So könnten Sende- und Empfängerstationen von Richtfunkstrecken damit versehen werden und auch für WLAN-Produkte sind die Rekord-Chips geeignet. (Computerpartner/uba)