Infineon bringt sparsames Mobile-RAM

Infineon Technologies kündigt eine neue Familie von Low-Power-DRAMs an, die speziell für mobile Endgeräte konstruiert sind. Mobile-RAM vereint laut Infineon drei Eigenschaften: Geringer Verbrauch, kleine Abmessungen, niedriger Preis.

Mit 128 MBit startet Infineon die Produktion von Low-Power-DRAM. Die Organisation der Mobile-RAM getauften Produktlinie erlaube mit 8 MBit x 16 den flexiblen Einsatz in Umgebungen mit Busbreiten von 16 und 32 Bit. Je nach Einsatz verbrauche der Chip bis zu 80 Prozent weniger Strom als ein Standard-SDRAM. Infineon gibt zwei Faktoren für den kleinen Stromhunger an: Ein integriertes Powermanagement der Zellen reduziert die Leistungsaufnahme. Außerdem benötigen die Mobile-DRAMs nur 2,5 Volt Betriebsspannung. Zum Vergleich: Herkömmliche SDRAMs benötigen 3,3 Volt Betriebsspannung. Die Ein-/Ausgangstreiber von Mobile-DRAMs arbeiten laut Infineon zwischen 1,8 und 2,5 Volt.

Platz sparend wirkt sich aus, dass der Speicherchip in einem 8x9 Millimeter großen Ball-Grid-Array-Gehäuse (BGA) mit geringem Kontaktabstand verpackt wurde, das nicht viel größer als der Chip selbst ist. Das Ball-Grid-Array-Gehäuse mit kleinem Kontaktabstand (FBGA), das für das Mobile-RAM verwendet wird, basiere auf Infineons proprietärer Draht-Bonding-Technik mit Board-on-Chip (BOC). Infineon stellt nach eigenen Angaben das derzeit kleinste 128-MBit-SDRAM her.

Zusammen mit weiteren Partnern der Halbleiterindustrie arbeite man daran, die Low-Power-Features und das 54-polige FBGA-Gehäuse des Mobile-RAMs beim Joint Electron Device Engineering Council (JEDEC) zu standardisieren. Dadurch soll Mobile-RAM populär werden, hofft Infineon.

"Dieser neue 128-MBit-Baustein ist das erste Produkt unserer Mobile-RAM-Linie, ein Produkt der 256-MBit-Generation folgt recht bald", kündigte Heinrich Florian, Director Product Marketing von Infineons Memory Product Division an. Angaben zu Preisen machte Infineon nicht.

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