IDF: DDR2-800-Speicher in den Startlöchern

Die Spezifikationen für DDR2-800-Speicher sind im Juni 2005 finalisiert worden. Aktuell befindet sich der DDR2-667-Nachfolger in der Validation von Intel. Der Hersteller will in der ersten Jahreshälfte 2006 DDR2-800-DIMMs für seine Highend-Desktop- und bei Workstation-Plattformen einsetzen. Voraussichtlich gibt es hierfür einen erweiterten 955X-Chipsatz für Intels Pentium-D-Nachfolger „Presler“. DDR2-800-Speicher wird laut Intel in der schnellsten Konfiguration mit einer CAS-Latency von fünf Taktzyklen arbeiten (Speicher-Timing 5-5-5).

Intel sowie das JEDEC-Gremium und die Speicherhersteller arbeiten parallel bereits an der Definition von DDR3 als nächste Speichergeneration. DDR3 ist eine evolutionäre Weiterentwicklung der DDR2-Speichertechnik und bietet höhere Bandbreiten bei niedrigerer Leistungsaufnahme.

Während DDR2-SDRAM-Chips eine Core-Spannung von 1,8 V benötigen, begnügt sich DDR3-Speicher mit 1,5 V. Zur weiteren Energieeinsparung beherrscht DDR3-SDRAM effizientere Powermanagement-Modi. Fortschritt verspricht DDR3-Speicher auch durch 15 bis 20 Prozent niedrigere Latenzzeiten beim Lesen von Daten. Der Steckplatz von DDR3-Modulen bleibt dagegen bis auf die versetzte Markierungskerbe unverändert im Vergleich zu DDR2-DIMMs. Mit einer 8-Bit-Prefetch-Technologie erlaubt DDR3-SDRAM bei gleicher realer Taktfrequenz höhere Bandbreiten als DDR2-SDRAM mit 4-Bit-Prefetch.

Erste 2007 auf den Markt kommende DDR3-Module arbeiten mit einer effektiven Taktfrequenz von 800 und 1067 MHz. Der DDR3-Speicher erlaubt laut Intel dabei noch Taktfrequenzsteigerungen bis hin zu 1600 MHz. (cvi)