SRAM mit 2,9 Milliarden Transistoren

IDF 2009: Intel zeigt erste 22-nm-Chips

Intel zeigt auf dem Intel Developer Forum erste funktionierende 22-nm-Chips. Die Entwicklung dieser fortgeschrittenen Fertigungstechnologie soll erstmals bei Ivy Bridge, dem Nachfolger der 32-nm-CPU-Architektur Sandy Bridge, zum Einsatz kommen.

Aktuell fertigt Intel seine Prozessoren mit einer Strukturbreite von 45 nm. Noch Ende 2009 kommen die ersten Westmere-CPUs im 32-nm-Verfahren auf den Markt. Ende 2010 folgt dann die neue Sandy-Bridge-Architektur, die Intel ebenfalls noch im 32-nm-Verfahren produzieren will. Noch 2011 folgt dann ein „Shrink“ auf Intels künftige 22-nm-Fertigungstechnologie.

22-nm-Wafern in Händen: Intel-Chef Paul Otellini zeigt einen ersten Wafer, gefertigt im 22-nm-Verfahren, auf dem Intel Developer Forum.
22-nm-Wafern in Händen: Intel-Chef Paul Otellini zeigt einen ersten Wafer, gefertigt im 22-nm-Verfahren, auf dem Intel Developer Forum.

Paul Otellini, Intel President and CEO, zeigte zur Eröffnung des Forum jetzt erstmals funktionierende Testmuster im 22-nm-Verfahren. Otellini zeigte Test-Chips auf einem Wafer, die Logik-Elemente und SRAM-Speicher kombinieren. Dabei beherbergt das 364 Millionen Bit speichernde SRAM-Array laut Intel 2,9 Milliarden Transistoren. Eine SRAM-Zelle benötigt dabei eine Fläche von 0,092 µm².

Transitor-Roadmap: Noch Ende 2009 schwenkt Intel auf den 32-nm-Prozess um, 2011 folgt die 22-nm-Technolgie.
Transitor-Roadmap: Noch Ende 2009 schwenkt Intel auf den 32-nm-Prozess um, 2011 folgt die 22-nm-Technolgie.

Intels 22-nm-Verfahren wird mit der dritten Generation der High-k-Metal-Gate-Technolgie gefertigt. Die High-k-Technologie kam erstmals vor zwei Jahren beim 45-nm-Prozess P1266 zum Einsatz. Das vormals verwendete SiO2-Dielektrikum wurde durch das High-K-Gate-Oxid ersetzt. Zusätzlich verwendet Intel ein Metall-Gate statt des üblichen Poly-Silizium-Gates. (cvi)