IBM und AMD steigern Leistung durch gestrecktes Silizium

Ein neuer Strained-Silicon-Prozess mit dem Namen Dual Stress Liner soll zukünftigen Prozessoren von IBM und AMD eine bis zu 24 Prozent höhere Transistorgeschwindigkeit bescheren.

Die Leistungsaufnahme soll bei der Entwicklung der beiden Unternehmen dagegen vergleichsweise konstant bleiben. Zum Einsatz kommt der Prozess bei den Dual-Core-Opterons von AMD und der nächsten Generation der POWER-Chips von IBM, die beide Mitte des nächsten Jahren vorgestellt werden sollen. Der "Dual Stress Liner"-Prozess wurde in Zusammenarbeit mit Ingenieuren von Toshiba und Sony in IBMs Semiconductor Research and Development Center (SRDC) in East Fishkill, New York entwickelt. Details zum "Dual Stress Liner"-Prozess sollen beim International Electron Devices Meeting bekannt gegeben werden, das vom 13. bis 15. Dezember in San Francisco statt findet.

Bei "gestrecktem Silizium" wird das natürliche Kristallgitter des Siliziums künstlich gestreckt. Durch die unnatürliche Gitterkonstante steigt die Beweglichkeit der Ladungsträger, so dass der Transistor schneller schaltet. Zusätzliche Informationen zu den Technologien finden Sie in den Reports Schnellere Prozessoren mit SOI-Technologie und Moderne Halbleitertechnologien. (uba)

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