IBM: Erste RF-Endverstärker in SiGe-Technologie

IBM hat Endverstärker auf Basis der Silizium-Germanium-Technologie (SiGe) für mobile Geräte vorgestellt. Die Radio-Frequenz (RF) -Power-Amplifier sind nach Angaben von IBM die ersten, die in SiGe-Technologie produziert werden.

In dieser Chip-Kategorie sei das ein Durchbruch, sagte Bernard Meyerson, Vice-President Communications Resources and Development Center. Bislang habe man angenommen, die SiGe-Technologie könne für solche RF-Chips nicht angewendet und diese müssten im weitaus teureren Gallium-Arsenid-Prozess hergestellt werden.

Mit der SiGe-Technik sind nach Angaben von IBM nicht nur Kosteneinsparungen möglich. Auch der für mobile Geräte wichtige Platzbedarf sinkt. Silizium-Germanium-Chips arbeiten wegen ihrer besseren thermischen Leitfähigkeit zusätzlich mit niedrigerer Temperatur als Gallium-Arsenid-basierte Chips, teilte IBM mit. Das mache sie insgesamt haltbarer.

Drei SiGe-Power-Amplifier bietet IBM künftig an. Den IBM 2022 TDMA (Time Division Multiple Access) IS-54 Power Amplifier mit 800-MHz, den IBM 2018 CDMA (Code Division Multiple Access) IS-95 (800MHz) und den IBM 2017 PCS CDMA IS-95 (1900 MHz). Alle Chips sind im 0,35-Mikron-Prozess hergestellt. Der IBM 2022 TDMA ist bereits erhältlich. Den IBM 2017 PCS CDMA gibt es als Prototypen, der IBM 2018 CDMA soll nächsten Monat als Prototyp erhältlich sein. (uba)