AMD entwickelt schnellsten PMOS-Transistor

Forscher von AMD haben nach eigenen Angaben einen High-Performance Transistor entwickelt und demonstriert, der bis zu 30 Prozent schneller sein soll als andere PMOS-Transistoren (P-Kanal Metal-Oxide Semiconductor).

Der AMD-Transistor basiere auf proprietären Technologien sowie auf der als Fully Depleted Silicon-on-Insulator (SOI) bezeichneten Technologie. Weiterhin will AMD auch den ersten "Strained Silicon" Transistor demonstriert haben, der auf Grund des erfolgreichen Einsatzes von Metall-Gates gegenüber herkömmlichen "Strained Silicon"-Komponenten eine 20 bis 25 Prozent höhere Performance erreiche.

Bei "gestrecktem Silizium" wird das natürliche Kristallgitter des Siliziums künstlich gestreckt. Durch die unnatürliche Gitterkonstante steigt die Beweglichkeit der Ladungsträger, so dass der Transistor schneller schaltet.

Zusätzliche Informationen zu den Technologien finden Sie in den Reports Schnellere Prozessoren mit SOI-Technologie und Moderne Halbleitertechnologien. AMD will seine Forschungsergebnisse beim VLSI Symposium (11./12. Juni in Kyoto, Japan) präsentieren. (uba)