TSMC zeigt erste Chips mit 0,10 Mikron

Der taiwanische Halbleiter-Hersteller TSMC hat eigenen Angaben zufolge die ersten Chips mit 0,10 Mikron Strukturbreite hergestellt. Die Serienfertigung will man bereits im dritten oder vierten Quartal 2002 aufnehmen.

Dies berichtet Silicon Strategies. Demnach habe TSMC auf der derzeit in Santa Clara stattfindenden Konferenz DesignCon die ersten Halbleiter mit 0,10 Mikron Strukturbreite vorgestellt. Die neue Strukturbreite stellt einen Zwischenschritt zur zukünftigen Standardproduktion mit 0,09 Mikron dar.

So will beispielsweise Intel die 0,10 Mikron überspringen und Mitte 2003 direkt zu 0,09 Mikron wechseln. TSMC dagegen muss jede Möglichkeit zur Verkleinerung ausnutzen, um als Foundry seine Kunden zufrieden zu stellen. Um möglichst hohe Stückzahlen zu erreichen und die Ausbeute zu erhöhen, will TSMC 0,10-Mikron-Chips auf Wafer mit 300 Millimeter Durchmesser produzieren.

Neben diesen beiden Innovationen hat TSMC weiter ehrgeizige Pläne. Die schon eingeführten Kupfer-Interconnects sollen in ein Low-k-Dielektrika gebettet werden. Durch die niedrige relative Dielektrizitätskonstante sinkt die Kapazität der Interconnects, die mögliche Schaltgeschwindigkeit steigt. Details dazu finden sich in diesem Report.

Ein entscheidendes Kriterium moderner Halbleiter konnte TSMC den Ankündigungen zufolge nicht maßgeblich weiter entwickeln. Die effektive Gate-Länge der Transistoren soll beim neuen Prozess 65 Nanometer betragen. Zum Vergleich: Schon Intels Pentium 4 mit 0,13 Mikron Strukturbreite verfügt über Gates mit 70 Nanometer Länge. (nie)