TSMC: FinFET-Transistoren mit 9 nm

Taiwan Semiconductor Manufacturing (TSMC) hat einen Transistortyp vorgestellt, der rund zehn Mal kleiner sein soll als derzeit übliche. Mit dem FinFET getauften Transistor sind laut TSMC Gate-Längen mit nur neun Nanometern möglich.

Zum Vergleich: Ein Pentium 4 in 130 Nanometer-Technologie (0,13 Mikrometer) hat Gates mit 70 Nanometer Länge. Nach eigenen Angaben hat TSMC bereits funktionierende Transistoren mit Gate-Längen von 35 Nanometern hergestellt, 25 Nanometer sind in Arbeit. Die Option auf Gate-Längen von neun Nanometern haben die TSMC-Forscher bislang nur errechnet.

Mit den neuen Transistoren glaubt TSMC, der CMOS-Herstellung ein um 20 Jahre verlängertes "Leben" zu bescheren. TSMC stellt die Forschungsergebnisse heute beim VLSI Technology Symposium in Honolulu vor, teilte Chefentwickler Chenming Hu mit.

IBM hat die FinFET-Technologie bereits vorgestellt. Die beiden Gates (Double-Gating) sind durch eine Silizium-Finne getrennt.

Die FinFET-Transistoren leiten ihren Namen von Fin (Flosse) ab, weil die Struktur der Schwanzflosse eines Fisches ähnelt, der Zusatz FET steht für Feld-Effekt Transistor. FinFET setzt auf zwei Gates zur Steuerung des Stromflusses statt einem. Beide Gates sind von einer Silizium-Finne getrennt, durch die der leitende Kanal führt. Durch das Double-Gating kann der Drain-Source-Kanal besser gesteuert werden, wodurch kleinere Strukturen möglich sind.

IBM forscht ebenfalls mit dieser Technologie, wir berichteten, ist aber bislang Angaben zu Strukturgrößen schuldig geblieben. TSMC dagegen veröffentlicht keine Details zur Stromaufnahme und Leistung und belässt es beim Hinweis auf neue Rekorde in diesen Disziplinen.

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